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龙图腾网获悉海信家电集团股份有限公司申请的专利半导体装置和半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153505B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411045884.2，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法是由史世平;陈道坤;储金星;杨晶杰;何濠启;邹苹设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置和半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置和半导体装置的制造方法，半导体装置包括：基体；漂移层；阱层；沟槽；集电极层；阴极层，阱层包括多个子阱层，设定快恢复二极管区域中的多个子阱层中最邻近绝缘栅双极晶体管区域的一个为边界子阱层，相较于边界子阱层，快恢复二极管区域中的多个子阱层中远离绝缘栅双极晶体管区域的为非边界子阱层，边界子阱层的深度从第一主面沿第一方向向阴极层延伸设置，边界子阱层的深度大于非边界子阱层的深度且大于沟槽的深度。由此，不仅可以使边界子阱层对横向流动的电子起到阻挡作用，避免出现电压回折现象，而且可以增强快恢复二极管区域的耐压，可以有利于快恢复二极管区域工作在开关速度快、浪涌电流大的场景。

本发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 基体，所述基体具有第一主面及与第一主面相反侧的第二主面，所述第一主面和所述第二主面在第一方向上间隔设置； 第一导电类型的漂移层，所述漂移层设置于所述基体且位于第一主面和第二主面之间； 第二导电类型的阱层，所述阱层设置于所述漂移层朝向所述第一主面的一侧，所述阱层的上表面构成所述第一主面的一部分； 沟槽，所述沟槽的深度方向从所述第一主面沿第一方向将所述阱层贯穿而到达所述漂移层，所述沟槽的长度方向在所述半导体装置的第二方向上延伸，所述沟槽为多个，多个所述沟槽在所述半导体装置的第三方向上间隔设置，其中，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相互垂直； 第二导电类型的集电极层，所述半导体装置具有快恢复二极管区域和绝缘栅双极晶体管区域，所述绝缘栅双极晶体管区域环绕设置于所述快恢复二极管区域的外侧，所述集电极层设置于所述第二主面且与所述绝缘栅双极晶体管区域均相对应； 第一导电类型的阴极层，所述阴极层设置于所述第二主面且与所述快恢复二极管区域相对应，所述阱层包括多个子阱层，所述子阱层位于相邻两个所述沟槽之间，设定所述快恢复二极管区域中的多个所述子阱层中最邻近所述绝缘栅双极晶体管区域的一个为边界子阱层，相较于所述边界子阱层，所述快恢复二极管区域中的多个所述子阱层中远离所述绝缘栅双极晶体管区域的为非边界子阱层，所述边界子阱层的深度从所述第一主面沿第一方向向所述阴极层延伸设置，所述边界子阱层的深度大于所述非边界子阱层的深度且大于所述沟槽的深度； 所述漂移层的深度为D1，所述边界子阱层的深度为D2，D1和D2满足关系式：12＜D2D1≤1； 所述边界子阱层在第三方向上的宽度为D3，所述边界子阱层中朝向所述阴极层延伸的部分在第三方向上的宽度为D4，D3和D4满足关系式：13≤D4D3≤1。

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