北京大学王宗巍获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种阻变存储阵列的空气间隙结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118890904B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411012267.2，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权一种阻变存储阵列的空气间隙结构的制备方法是由王宗巍;王錡深;蔡一茂;黄如设计研发完成，并于2024-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阻变存储阵列的空气间隙结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种阻变存储阵列的空气间隙结构的制备方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明在后端阻变存储阵列的制备过程中，利用具有高深宽比的凹槽结构设计，在相邻阻变存储单元之间形成周期性的空气间隙结构。利用本发明可以有效地缓解了由电容耦合引起的信号延迟问题，对于提高新型存储器技术在大规模集成和生产方面的性能具有重要意义。
本发明授权一种阻变存储阵列的空气间隙结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阻变存储阵列的空气间隙结构的制备方法，其特征在于，具体步骤包括： 1基于CMOS工艺，在前端工艺制作完后淀积第一绝缘介质层，在所述第一绝缘介质层中设置若干个第一互联金属层，所述第一互联金属层与阻变存储阵列的阻变存储单元相对应，在所述第一互联金属层和所述第一绝缘介质层的上方淀积第一阻挡层； 2在第一阻挡层中刻蚀第一通孔，并在第一通孔内淀积互联金属，形成第一互联金属层的连接端； 3通过物理气相沉积PVD、原子层沉积ALD或化学气相沉积CVD技术，在所述第一阻挡层和第一互联金属层的连接端上方依次淀积底电极层、阻变材料层、顶电极层及保护层，形成层叠结构； 4对上述层叠结构进行刻蚀形成阻变存储单元； 5在上述阻变存储单元上淀积第二阻挡层，在相邻阻变存储单元之间刻蚀周期性的凹槽结构，该凹槽的侧壁垂直于底部，且凹槽的深宽比为10：1～10：1000； 6接着淀积第二绝缘介质层，在上述凹槽结构中形成空气间隙结构； 7在第二绝缘介质层和第二阻挡层以及保护层中刻蚀第二通孔，该第二通孔位于阻变存储单元的顶电极上方，所述第二通孔内淀积第二互联金属层，完成阻变存储阵列的制备。
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