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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118712066B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411004599.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法是由李育智;龚政;邹胜晗;陈志涛;赵维设计研发完成，并于2024-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。本申请在基底上依次制备图形化栅极层、栅介质层、图形化半导体层、图形化扩散阻挡层、图形化功函调控层和图形化源极层，其中扩散阻挡层在基底上的投影区域处于半导体层在基底上的投影区域内，源极层覆盖半导体层的未被扩散阻挡层覆盖的部分外侧表面，此时源极层的部分区域与半导体层直接接触形成欧姆接触或准欧姆接触，源极层的部分区域间隔对应功函调控部位和扩散阻挡层与半导体层形成肖特基势垒，从而确保高饱和输出电流的器件电学特性，并有效减少界面缺陷对载流子的俘获以及避免产生载流子陷阱，以此提升器件的稳定性和可靠性，同时有效降低器件制备成本。

本发明授权一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一基底； 在所述基底的一侧依次层叠制备栅极层、栅介质层和半导体层，得到第一半导体器件，其中所述栅极层和所述半导体层均图形化； 在所述第一半导体器件的远离所述基底的一侧制备扩散阻挡层、功函调控层和电极膜层，得到第二半导体器件，其中所述扩散阻挡层满足载流子隧穿效应，所述功函调控层设置在所述扩散阻挡层与所述电极膜层之间，所述扩散阻挡层与所述功函调控层各自在所述基底上的投影区域相互重合，且所述扩散阻挡层所对应的投影区域处于所述半导体层在所述基底上的投影区域内，所述电极膜层覆盖有所述半导体层的未被所述扩散阻挡层覆盖的外侧表面，其中所述功函调控层用于提升所述电极膜层的功函数，所述扩散阻挡层用于阻挡所述电极膜层的电极材料向所述半导体层扩散； 在所述第二半导体器件的远离所述基底的一侧进行光刻图形化，以将所述电极膜层图形化为相互间隔的源极层和漏极层，并将所述功函调控层图形化为与源极层和漏极层分别侧面对齐的两个功函调控部位，其中所述源极层的部分区域与所述半导体层直接接触形成欧姆接触或准欧姆接触，所述源极层的部分区域间隔对应功函调控部位和所述扩散阻挡层与所述半导体层形成肖特基势垒；或者，在所述第二半导体器件的远离所述基底的一侧进行光刻图形化，以将所述电极膜层图形化为与所述扩散阻挡层和所述功函调控层同时侧面对齐的源极层，而后对所述半导体层的未被所述源极层和所述扩散阻挡层覆盖的膜层部位进行导体化，以形成用于充当漏极区的导体化膜层部位，其中所述源极层的部分区域与半导体膜层部位直接接触形成欧姆接触或准欧姆接触，所述源极层的部分区域间隔所述功函调控层和所述扩散阻挡层与半导体膜层部位形成肖特基势垒，其中所述半导体膜层部位为所述半导体层的除所述导体化膜层部位以外的剩余膜层部位。

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