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龙图腾网获悉南京芯干线科技有限公司申请的专利具有时序差的双门级半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118919561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410956015.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权具有时序差的双门级半导体器件及其制备方法是由李进吉;孔令涛;傅玥设计研发完成，并于2024-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有时序差的双门级半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有时序差的双门级半导体器件及其制备方法，其包括：本体，其上设有发射极、基区和集电极，基区包括传输层组及辅助层组，传输层组连接发射极，辅助层组连接集电极；先驱门极和加速门极；当器件处于工作状态时，先驱门极与加速门极同时获得正电压，当器件由工作状态转换为关断状态时，加速门极先切换为负电压，以形成空穴反型通道，空穴电流通过空穴反型通道导出；先驱门极后切换为负电压，以完成关断。本发明能够通过控制先驱门极和加速门极电压切换的顺序在器件内部构件出额外的空穴反型通道，由此将器件关断时存在拖尾电流在短时间内导出，相比于常规半导体器件来说，本器件关断时间显著降低，器件使用频率大幅提高。

本发明授权具有时序差的双门级半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有时序差的双门级半导体器件，其特征在于：包括： 本体，所述本体相对的两侧设有发射极和集电极，所述发射极与所述集电极之间为基区，所述基区包括传输层组及辅助层组，所述传输层组及所述辅助层组分别设置于所述基区相对的两侧，其中，所述传输层组连接所述发射极，所述辅助层组连接所述集电极； 先驱门极和加速门极，所述先驱门极和所述加速门极间隔设置于所述基区内部； 当器件处于工作状态时，所述先驱门极与所述加速门极同时获得正电压，当所述器件由工作状态转换为关断状态时，所述加速门极先切换为负电压，以形成空穴反型通道，空穴电流通过所述空穴反型通道导出；所述先驱门极后切换为负电压，以完成关断；所述传输层组包括依次相连的N+层、p-body层以及电荷分离层，其中，所述N+层连接所述发射极，所述N+层及所述p-body层之间设有连通槽，所述连通槽贯穿所述N+层，且延伸至至少部分所述p-body层中。

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