广东工业大学龙莹获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种具有多孔网状结构的二硼化钨自支撑电极及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118854336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410915190.3，技术领域涉及：C25B11/075；该发明授权一种具有多孔网状结构的二硼化钨自支撑电极及其制备方法和应用是由龙莹;王仕轩;张扬威;林华泰设计研发完成，并于2024-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有多孔网状结构的二硼化钨自支撑电极及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于能源材料技术领域，公开了一种多孔网状结构的二硼化钨自支撑电极及其制备方法和应用。本发明首先将三氧化钨粉、碳化硼粉、碳源粉末合成具有片层状结构的WB2，以该WB2为原料，通过快速烧结方式将片层状晶粒相互粘结成网状结构，获得多孔网状结构的二硼化钨块状材料，具有高导电性，能提供更大的电化学比表面积，暴露出更多的催化活性位点。
本发明授权一种具有多孔网状结构的二硼化钨自支撑电极及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种具有多孔网状结构的二硼化钨自支撑电极的制备方法，其特征在于包括以下操作步骤： （1）将三氧化钨粉、碳化硼粉、碳源粉末称量装罐，添加磨球，在氩气环境下球磨，得到混合均匀的粉末； （2）用干压机将步骤（1）所得混合均匀的粉末压坯，并在1300℃~1500℃、真空状态下，烧结保温0.5~2h，随炉冷却后研磨、过筛，得到片层状二硼化钨粉体； （3）将步骤（2）所得二硼化钨粉体放入石墨模具预压，通过低温快速烧结，即在700℃~850℃、压力10~30MPa下保温10min，得到具有多孔网状结构的二硼化钨块状材料；所述低温快速烧结是在氩气或者真空气氛中采用放电等离子烧结方式进行烧结； （4）将步骤（3）所得具有多孔网状结构的二硼化钨块状材料通过导电银浆黏附在铜片上并利用树脂将不参与反应的表面包裹，制成具有多孔网状结构的二硼化钨自支撑电极。
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