上海新微半导体有限公司张安邦获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利一种多沟道HEMT器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888580B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410915435.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种多沟道HEMT器件及其制作方法是由张安邦设计研发完成，并于2024-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多沟道HEMT器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多沟道HEMT器件及其制作方法，该器件包括半导体基底、源极区及漏极区，其中，半导体基底包括多个层叠且形成有二维电子气的异质结构层，源极区及漏极区形成于半导体基底中，源极区包括多个间隔排列的源极注入区，漏极区包括多个间隔排列的漏极注入区，在源极区指向漏极区的方向上，多个源极注入区的深度递减，多个漏极注入区的深度递增，每一源极注入区及每一漏极注入区至少电连接一个二维电子气。该器件在半导体基底中形成有多个深度不同源极注入区及漏极注入区，使得器件工作时不同沟道的电流经由不同途径分散流通，避免了器件中局部区域的电流集中问题的发生，有效提高器件的散热性与可靠性，保证了器件的长期稳定性。
本发明授权一种多沟道HEMT器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多沟道HEMT器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一半导体基底，所述半导体基底包括多个层叠且形成有二维电子气的异质结构层； 形成注入掩膜层于所述半导体基底上方； 对所述注入掩膜层进行刻蚀以形成多个第一注入窗口及多个第二注入窗口，在任一所述第一注入窗口指向任一所述第二注入窗口的方向上，多个所述第一注入窗口的深度递减，多个所述第二注入窗口的深度递增； 基于图形化后的所述注入掩膜层对所述半导体基底进行离子注入以形成源极区及漏极区；其中，对所述半导体基底进行一次离子注入以形成所述源极区及所述漏极区； 所述源极区包括多个间隔排列的源极注入区，所述漏极区包括多个间隔排列的漏极注入区，在所述源极区指向所述漏极区的方向上，多个所述源极注入区的深度递减，多个所述漏极注入区的深度递增，每一所述源极注入区及每一所述漏极注入区至少电连接一个所述二维电子气。
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