上海集成电路材料研究院有限公司刘强获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路材料研究院有限公司申请的专利一种电子源结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008364B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410901262.9，技术领域涉及：H01J37/06；该发明授权一种电子源结构及制作方法是由刘强;王诗男设计研发完成，并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电子源结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电子源结构及制作方法，包括：提供第一基板，第一基板上形成有层叠的第一多孔层和第二多孔层；于第二多孔层上形成背栅层；提供第二基板，将背栅层键合于第二基板；剥离第一多孔层以去除第一基板；刻蚀第二多孔层形成凹槽，于凹槽中填充有绝缘介质层，并形成顶电极和背电极，顶电极与第二多孔层电连接，背电极贯穿绝缘介质层与背栅层电连接。本发明通过第一多孔层裂解以辅助转移作为有源层的第二多孔层，有效提高了有源层的转移成功率；并且，通过第一多孔层裂解转移有源层，提升了基板的灵活性，基板的材料类型、结构类型、功能类型可以灵活选配，提升了电子源与CMOS系统、MEMS系统等其他辅助功能系统的集成灵活度。
本发明授权一种电子源结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种电子源结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供第一基板，所述第一基板上形成有层叠的第一多孔层和第二多孔层； 于所述第二多孔层远离所述第一多孔层的一侧形成背栅层； 提供第二基板，将所述背栅层键合于所述第二基板，所述背栅层与所述第二基板之间设置有绝缘层； 剥离所述第一多孔层使所述第一多孔层裂解，以去除所述第一基板，并去除所述第二多孔层上残留的所述第一多孔层； 刻蚀所述第二多孔层形成贯穿所述第二多孔层的凹槽，所述凹槽中填充有绝缘介质层，并于所述第二多孔层远离所述第二基板的一侧形成顶电极和背电极，所述顶电极与所述第二多孔层电连接，所述背电极贯穿所述绝缘介质层与所述背栅层电连接。
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