杭州泽达半导体有限公司张扬伙获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州泽达半导体有限公司申请的专利一种半导体激光器制备方法及半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118867830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410884935.4，技术领域涉及：H01S5/028；该发明授权一种半导体激光器制备方法及半导体激光器是由张扬伙;黄文洋;角谷昌纪设计研发完成，并于2024-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光器制备方法及半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体激光器制备方法。该方法包括：在外延衬底表面形成用于降低寄生电容的介质垫高层结构的步骤，以及在形成有介质垫高层结构的外延衬底表面蒸镀PAD电极的步骤；使用以下工艺在外延衬底表面形成所述介质垫高层结构：S1、在外延衬底表面制备介质层；S2、在所述介质层表面形成光刻胶掩膜；S3、使用轻量化热回流工艺对光刻胶掩膜进行处理，使得光刻胶掩膜的边缘形成弧状轮廓；S4、使用刻蚀选择比为0.8～1.2的干法刻蚀工艺对所述介质层进行刻蚀，形成边缘呈弧状轮廓的介质垫高层结构，并去除残余光刻胶。本发明还公开了一种半导体激光器。本发明可确保PAD金属蒸镀连接性，且工艺简单，实现成本较低。
本发明授权一种半导体激光器制备方法及半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器制备方法，包括：在外延衬底表面形成用于降低寄生电容的介质垫高层结构的步骤，以及在形成有介质垫高层结构的外延衬底表面蒸镀PAD电极的步骤；其特征在于，使用以下工艺在外延衬底表面形成所述介质垫高层结构： S1、在外延衬底表面制备介质层； S2、在所述介质层表面形成光刻胶掩膜； S3、使用处理温度在光刻胶的玻璃化转化温度区间内的轻量化热回流工艺对光刻胶掩膜进行处理，使得光刻胶掩膜的边缘形成弧状轮廓； S4、使用刻蚀选择比为0.8～1.2的干法刻蚀工艺对所述介质层进行刻蚀，形成边缘呈弧状轮廓的介质垫高层结构，并去除残余光刻胶。
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