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龙图腾网获悉江淮前沿技术协同创新中心;安徽大学申请的专利一种14T抗辐射SRAM存储单元电路与工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118711631B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410861460.7，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权一种14T抗辐射SRAM存储单元电路与工作方法是由王翊;巩胜霞;王婧逸;柏娜;许耀华;周月亮;许祥妹;安康;孙鹏设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种14T抗辐射SRAM存储单元电路与工作方法在说明书摘要公布了：一种14T抗辐射SRAM存储单元电路与工作方法，属于集成电路存储器领域，解决现有技术在辐射环境下，SRAM容易受到电离辐射的影响而导致存储单元的临时或永久性故障的问题；包括8个PMOS晶体管和6个NMOS晶体管，PMOS管P5的栅极与PMOS管P6的漏极电连接，PMOS管P5的漏极与PMOS管P6的栅极电连接，形成交叉耦合结构，同时，第一冗余节点与第二冗余节点采用双下拉管结构且下拉管分别由不同反馈进行控制；本发明实现了可完全抵抗单个节点处发生数据翻转，同时，在双节点同时发生数据翻转时仍能恢复到初始状态。

本发明授权一种14T抗辐射SRAM存储单元电路与工作方法在权利要求书中公布了：1.一种14T抗辐射SRAM存储单元电路，其特征在于，包括：8个PMOS晶体管、6个NMOS晶体管，所述8个PMOS晶体管依次记为P1-P8，6个所述NMOS晶体管依次记为N1-N6，其中： NMOS晶体管N1的源极与第一位线BL电连接；NMOS晶体管N1的漏极与NMOS晶体管N3的漏极、PMOS晶体管P3的源极、PMOS晶体管P7的栅极电连接；NMOS晶体管N1的栅极与第一字线WL电连接；NMOS晶体管N3的栅极与PMOS晶体管P3的栅极、PMOS晶体管P6的源极、PMOS晶体管P2的漏极、PMOS晶体管P8的漏极、PMOS晶体管P5的栅极、NMOS晶体管N5的栅极电连接；NMOS晶体管N3的源极与NMOS晶体管N6的漏极、PMOS晶体管P8的源极电连接；NMOS晶体管N5的漏极与PMOS晶体管P7的源极、NMOS晶体管N4的源极电连接；NMOS晶体管N5的源极接GND；NMOS晶体管N6的栅极与PMOS晶体管P6的栅极、PMOS晶体管P5的源极、PMOS晶体管P7的漏极、PMOS晶体管P1的漏极、PMOS晶体管P4的栅极、NMOS晶体管N4的栅极电连接；NMOS晶体管N6的源极接GND；NMOS晶体管N4的漏极与NMOS晶体管N2的漏极、PMOS晶体管P4的源极、PMOS晶体管P8的栅极电连接；NMOS晶体管N2的源极与第二位线BLB电连接；NMOS晶体管N2的栅极与第一字线WL电连接；PMOS晶体管P1的源极与第一位线BL电连接；PMOS晶体管P1的栅极与第二字线WWL电连接；PMOS晶体管P3的漏极与PMOS晶体管P5的漏极、PMOS晶体管P6的漏极、PMOS晶体管P4的漏极电连接接VDD；PMOS晶体管P2的栅极与第二字线WWL电连接；PMOS晶体管P2的源极与第二位线BLB电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江淮前沿技术协同创新中心;安徽大学，其通讯地址为：230088 安徽省合肥市高新区望江西路920号中安创谷科技园二期H3、H4、H5、H6、H7、H8；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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