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龙图腾网获悉中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利一种外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118782465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410855593.3，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权一种外延片及其制备方法是由黄飞;谢路肖;吴秀秀;王彦君;陈海波设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种外延片及其制备方法，涉及半导体制造技术领域。外延片的制备方法，包括：在位于反应腔内的衬底上形成外延结构，外延结构包括沟道层；在生长沟道层的过程中，向反应腔内通入镓源和氮源，反应腔的温度为1025～1070℃；反应腔的压力为200～400mbar；镓源具有第一流量Q1，氮源具有第二流量Q2，满足：500≤Q2Q1≤5000。本申请通过控制反应腔的温度和压力以及镓源与氮源的流量比制备得到的外延片中的沟道层具有更优的晶体质量及更低的深能级缺陷密度，从而提高了外延片的性能。

本发明授权一种外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种外延片的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底1的一侧形成成核层3； 在所述成核层3远离所述衬底1的一侧形成第一缓冲层4；所述第一缓冲层4包括K层层叠设置的AlGaN层，满足：3≤K≤5；所述第一缓冲层4的材质选自AlGaN，AlGaN的化学式为AlxGa1-xN，其中，0.05≤x≤0.95，沿背离所述成核层3的方向，所述第一缓冲层4中Al的摩尔含量逐渐减小； 在所述第一缓冲层4远离所述成核层3的一侧形成第二缓冲层5； 在所述第二缓冲层5远离所述成核层3的一侧形成背势垒层6； 在位于反应腔内的衬底1上形成外延结构，所述外延结构包括沟道层2，所述沟道层2中掺杂有碳原子，所述碳原子浓度为1E15～5E15atomcm-3；所述沟道层2位于所述背势垒层6远离所述第二缓冲层5的一侧；所述沟道层2的厚度为150～200nm；所述沟道层2的材质选自GaN；所述沟道层2的形成时间为10～50min； 其中，在形成所述沟道层2的过程中，向所述反应腔内通入镓源和氮源，所述镓源选自三乙基镓，所述氮源选自氨气,所述镓源的储存温度为15～30℃，所述镓源的储存压力为600～1200mbar，所述反应腔的温度为1025～1070℃；所述反应腔的压力为200～400mbar；所述镓源具有第一流量Q1，所述氮源具有第二流量Q2，满足：500≤Q2Q1≤5000；所述第一流量Q1为500～3000sccm；所述第二流量Q2为250～15000slm。

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