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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种CMOS后道工艺兼容的新型存储器的阵列架构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866051B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410845248.1，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权一种CMOS后道工艺兼容的新型存储器的阵列架构及其制备方法是由蔡一茂;罗天阳;王宗巍;杨高琦;黄如设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS后道工艺兼容的新型存储器的阵列架构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种CMOS后道工艺兼容的新型存储器的阵列架构及其制备方法，属于半导体Semiconductor和CMOS混合集成电路技术领域。本发明提出一种基于2T2S2R单元的新型三维存储阵列架构，各存储单元除一个晶体管外还额外拥有一个选通管Selector，可有效抑制写入串扰和额外读电流；将各单元通过水平方向的源线SL引出，读写电流无需经过较长的晶体管沟道；通过共源线SL的方法形成实质上的2T2S2R单元，减小SL的面积开销，从而提高集成密度，与平面1S1R阵列相比，本发明在不显著增大面积开销的同时引入晶体管，能大幅度降低1S1R阵列对于选通管非线性度的要求。

本发明授权一种CMOS后道工艺兼容的新型存储器的阵列架构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS后道工艺兼容的存储器的阵列架构，其特征在于，包括若干列垂直晶体管，在每列垂直晶体管中，两个上、下相邻的串联垂直晶体管为一单元，每个单元之间设有隔离介质层，所有垂直晶体管的栅极均与字线WL相连，在每个垂直晶体管的水平方向连接一1S1R单元和位线BL，该1S1R单元为一选通管与一存储器串联组成，所述1S1R单元和位线BL构成功能层，该功能层由阻变材料、选通材料和位线材料相互连接构成，或者该功能层由相变材料、选通材料和位线材料相互连接构成，其中阻变材料或相变材料与垂直晶体管的沟道相连，选通材料采用氧化钒VOx、氧化铌NbOx、碲化锗GeTex、碲化锗GeTex、硒化锗GeSex材料以及它们的合金中的一种或多种，上、下相邻的垂直晶体管的功能层之间设有一源线SL层，所述源线SL与垂直晶体管的沟道直接连接，所述功能层与源线SL层之间设有隔离介质层，位于上、下相邻的1S1R单元共用一条源线SL，构成2T2S2R单元，在垂直和水平方向上分别扩展形成2T2S2R阵列，在操作阵列时，打开被选择器件所在的列垂直晶体管而关闭其余垂直晶体管列，在被选择器件所对应的源线SL与位线BL之间施加操作电压，其余源线SL和位线BL的电压设置为操作电压的一半。

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