江苏南大光电材料股份有限公司王安东获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏南大光电材料股份有限公司申请的专利半导体工业用Ⅲ族金属有机化合物及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118791511B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410839150.5，技术领域涉及：C07F5/06；该发明授权半导体工业用Ⅲ族金属有机化合物及其制备方法是由王安东;刘子伟;万欣;徐耀中;邓革革;董礼设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工业用Ⅲ族金属有机化合物及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体工业用Ⅲ族金属有机化合物及其制备方法，制备方法包括：将R2MCl与格氏试剂CH32N‑CH23‑MgCl反应，得R2M‑CH23‑NCH32；其中，R为CH3、C2H5、C3H7或i‑C3H7；M为In、Ga或Al。本发明的合成制备方法操作简单，成本低，能够获得有机纯度和无机纯度均较高的半导体工业用有机金属化合物，如制备高纯度[3‑二甲氨基丙基]二甲基铟、[3‑二甲氨基丙基]二甲基镓、[3‑二甲氨基丙基]二甲基铝、[3‑二甲氨基丙基]二乙基镓和[3‑二甲氨基丙基]二丙基铟，满足了半导体行业对高纯度成品的要求。
本发明授权半导体工业用Ⅲ族金属有机化合物及其制备方法在权利要求书中公布了：1.半导体工业用Ⅲ族金属有机化合物的制备方法，其特征在于，包括： 将R2MCl与格氏试剂CH32N-CH23-MgCl反应，得R2M-CH23-NCH32； 其中，R为CH3、C2H5、C3H7或i-C3H7； M为Ga或Al。
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