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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种制备柔性自旋阀器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118900618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410826451.4，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种制备柔性自旋阀器件的方法是由田姣姣;任中阳;田仲政;于达程;夏晨皓;任黎明;刘飞;傅云义设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备柔性自旋阀器件的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种制备柔性自旋阀的方法，属于磁电子学技术领域。本发明利用PI为载体，采用磁性颗粒或反磁性颗粒为掺杂物，并利用激光诱导石墨烯工艺，逐层制备铁磁性、反铁磁性等柔性薄膜从而构建柔性自旋阀器件。本发明由于制备的薄膜均属于柔性材料，其抗弯折能力有明显的提升，采用本发明可以大规模制备自旋阀，为磁性电子器件的制备提供了新思路。

本发明授权一种制备柔性自旋阀器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备柔性自旋阀器件的方法，其步骤包括： 1）底电极的制备：将PI胶带粘贴在衬底上，采用激光直写诱导石墨烯工艺，在PI胶带上形成石墨烯底电极； 2）反铁磁钉扎层的制备，具体包括如下步骤： 2-1）将反铁磁性颗粒均匀混入PI液体中； 2-2）上述衬底置于匀胶机上，将步骤2-1）得到的PI液体滴在衬底的中心区域，进行旋涂，并固化处理，在石墨烯底电极上形成PI薄膜， 2-3）进行激光直写操作，获得含有反铁磁颗粒的石墨烯层，作为反铁磁钉扎层； 3）固定铁磁电极的制备，具体包括如下步骤： 3-1）将铁磁性颗粒均匀混入PI液体中； 3-2）上述衬底置于匀胶机上，将步骤3-1）得到的PI液体滴在衬底的中心区域，进行旋涂，并固化处理，在反铁磁钉扎层上形成PI薄膜，该薄膜的厚度小于步骤2-2）制备的PI薄膜； 3-3）进行激光直写操作，获得含有铁磁颗粒的石墨烯层，作为固定铁磁层； 4）隧道屏障层的制备：选取纯PI液或者采用非磁性绝缘颗粒对PI液体进行掺杂，接着将上述衬底置于匀胶机上，将纯PI液或掺杂非磁性绝缘颗粒的PI液体滴在衬底的中心区域，进行旋涂，并固化处理，在固定铁磁层上形成PI薄膜，采用该PI薄膜作为隧道屏障层； 5）自由铁磁层的制备：采用步骤3-1）—3-3），获得含有铁磁颗粒的石墨烯层，该石墨烯层作为自由铁磁层； 6）顶电极的制备：在上述衬底表面涂覆一层PI液体，并固化处理，在自由铁磁层上形成PI薄膜，采用激光直写工艺，得到石墨烯顶电极，从而构成器件结构； 7）自旋阀器件的封装：采用PI胶带平整粘贴在器件结构的外表面，同时将最底层的PI胶带从刚性衬底上分离，采用激光直写工艺将底电极和顶电极漏出，获得柔性自旋阀器件。

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