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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118824949B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410797163.0，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其制造方法、电子设备是由李晓杰设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构包括基底和位于基底上的堆叠结构，其中，堆叠结构包括从上至下的M个导电段组，M个导电段组依次层叠，M个导电段组中的每个导电段组包括位于沿第一水平方向延伸的同一直线上且彼此间隔的两个导电段，位于第2i‑1个导电段组中的两个导电段之间的区域作为第一间隔区域，位于第2i个导电段组中的两个导电段之间的区域作为第二间隔区域，多个第一间隔区域基本呈阶梯状分布，多个第二间隔区域基本呈阶梯状分布，其中，M为大于或等于2的正整数，i为正整数，i＝1，2，3，…，M2。上述半导体结构可以优化三维堆叠的半导体器件中的布线设置,改善绕线延伸长度的均匀性。

本发明授权半导体结构及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供初始半导体结构，其中，所述初始半导体结构包括基底和位于所述基底上的初始堆叠结构，所述初始堆叠结构包括从上至下的M个层级，每个层级包括依次层叠的第一层和第二层； 刻蚀位于第一区域中的所述初始堆叠结构，形成沿第一水平方向延伸的阶梯结构，其中，所述阶梯结构中设置有M个牺牲图案，所述M个牺牲图案中的第2i-1个牺牲图案位于所述M个层级的第2i-1层级中的第一层的第一端处，所述M个牺牲图案中的第2i个牺牲图案位于所述M个层级的第2i层级中的第一层的第二端处，位于奇数层级中的多个牺牲图案基本呈阶梯状分布，位于偶数层级中的多个牺牲图案基本呈阶梯状分布； 将位于第二区域中的所述初始堆叠结构中的所述M个层级中的第一层替换为M条导电线，其中，所述M条导电线与所述M个牺牲图案分别接触，所述第二区域位于所述第一区域在第二水平方向上的一侧，所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向； 去除所述M个牺牲图案，以形成M个水平开口，其中，所述M个水平开口分别暴露所述M条导电线的部分； 从所述M个水平开口横向刻蚀所述M条导电线，以将所述M条导电线中的每条导电线分割成两个导电段，位于奇数层级中的所述两个导电段之间的间隔区域作为第一间隔区域，位于偶数层级中的所述两个导电段之间的间隔区域作为第二间隔区域，多个所述第一间隔区域基本呈阶梯状分布，多个所述第二间隔区域基本呈阶梯状分布； 其中，M为正整数且为2的倍数，i为正整数，i=1，2，3，…，M2。

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