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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种宽禁带和超宽禁带槽栅MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118315430B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410483433.0，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种宽禁带和超宽禁带槽栅MOSFET器件是由易波;徐艺;钱凌轩设计研发完成，并于2024-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽禁带和超宽禁带槽栅MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种集成异质结二极管的异质异构型宽禁带和超宽禁带槽栅MOSFET器件，用于解决超宽禁带半导体Ga2O3无P型掺杂导致的无法制作大功率的常关型反型层沟道MOSFET器件的技术瓶颈。解决现有Ga2O3的Fin‑gate技术沟道迁移率低、工艺要求高，以及解决现有4H‑SiCMOSFET器件和GaN、AlGaN甚至AlN构成的MOSFET的沟道迁移率低的问题。并且，解决上述MOSFET反向导通压降高的技术难题。通过利用重掺杂的异质P型NiO或者SnO2等易制作的低成本宽禁带半导体或者和耐压层同质的P型半导体材料形成对具有较低击穿电场的异质半导体材料构成的反型层沟道区以及栅氧化层的电场保护，保证了击穿发生在耐压层而非异质半导体材料的P型沟道区，从而在不影响材料高击穿特性的情况下，实现各类具有低沟道电阻的常关型反型层MOSFET器件。同时，重掺杂的异质P型NiO或者SnO2等材料和耐压层构成的异质结二极管或者异质的P型沟道区和耐压层构成的异质结二极管具有低反向导通压降和单极性导电特性，利于降低静态和动态损耗。

本发明授权一种宽禁带和超宽禁带槽栅MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种集成异质结二极管的异质异构型宽禁带和超宽禁带槽栅MOSFET器件元胞，包括： 第一种半导体材料的衬底1，设置于衬底1上的第一种半导体材料的N型耐压层2；位于第一种半导体材料的N型耐压层2之上设置有第二种半导体材料的P型半导体沟道区11，所述第二种半导体材料的P型半导体沟道区11之上设置有第三种半导体材料的N型重掺杂源极区6；设置于元胞表面中间位置的槽栅区域，所述槽栅区域深入第一种半导体材料的耐压层2，所述槽栅区域包括槽内介质层10，介质层10内设置有栅极导体4，槽栅区域两侧分别设置有深入半导体耐压层2内的槽，所述槽内表面覆盖有第四种半导体材料的P型半导体区域3，所述介质层10还覆盖了槽两侧部分第三种半导体材料的N型重掺杂源极区6表面，所述栅极导体4以及位于第三种半导体材料的N型重掺杂源极区6表面的介质层10上覆盖有隔离介质层7，所述介质隔离层7表面、槽内第四种半导体材料的P型半导体区3表面以及第三种半导体材料的N型重掺杂源极区6上设置有欧姆接触金属8，所述衬底1底部设置有漏极欧姆接触金属9； 其特征在于，所述第一种半导体材料和所述第二种半导体材料为不同材料；所述第三种半导体材料和所述第二种半导体材料为同一种半导体材料，或者所述第三种半导体材料和所述第二种半导体材料为不同半导体材料，所述第三种半导体材料的N型掺杂浓度在1×1018cm-3以上；所述第四种半导体材料的P型半导体区域3与所述第一种半导体材料的N型耐压层2为不同材料，其P型掺杂一般在1×1018cm-3以上，二者构成第一种异质结二极管；所述第一种半导体材料构成的N型耐压层2和所述第二种半导体材料构成的P型沟道区11形成第二种异质结二极管。

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