中山大学冷易宏获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种高速单行载流子光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118431331B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410336662.X，技术领域涉及：H10F30/22；该发明授权一种高速单行载流子光电探测器及其制备方法是由冷易宏;金运姜;桂许春设计研发完成，并于2024-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高速单行载流子光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高速单行载流子光电探测器，所述光电探测器入光方式为正入射，形状为圆柱形，台面为圆形；所述光电探测器由上至下为P型接触层、阻挡层、吸收层、崖层、收集层以及N型接触层；所述收集层为分层结构，不同分层的厚度以及掺杂浓度均不相同。本发明提供的器件具有带宽以及饱和电流较大的特点，将本发明器件应用于光互连系统可实现性能进一步的提升。
本发明授权一种高速单行载流子光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高速单行载流子光电探测器，其特征在于，所述光电探测器入光方式为正入射，所述光电探测器形状为圆柱形；所述光电探测器由上至下为P型接触层、阻挡层、吸收层、崖层、收集层以及N型接触层；所述收集层为分层结构，不同分层的厚度以及掺杂浓度均不相同； 所述P型接触层的材料采用P型重掺杂的Al0.15GaAs材料； 所述P型接触层采用的Al0.15GaAs材料的禁带宽度为1.61eV； 所述阻挡层的材料采用P型重掺杂的Al0.5GaAs材料，所述阻挡层用于抑制电子向所述P型接触层的扩散运动； 所述吸收层的材料采用高掺杂窄带的GaAs材料，所述吸收层包括第一吸收层、第二吸收层以及第三吸收层，且所述第一吸收层、所述第二吸收层以及所述第三吸收层的掺杂浓度互不相同； 所述崖层的材料采用N型重掺杂的Al0.15GaAs材料； 所述收集层的材料采用轻掺杂的Al0.15GaAs材料，所述收集层总厚度为600nm； 所述收集层由上至下为掺杂浓度不相同的第一收集层、第二收集层，所述第一收集层和第二收集层的厚度分别为100nm和500nm； 所述N型接触层的材料采用n型重掺杂的Al0.15GaAs材料； 所述第一收集层和所述第二收集层的掺杂浓度分别为4×1016cm-3和1×1016cm-3。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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