买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384030B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410164434.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由张磊设计研发完成，并于2024-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法依次形成遮蔽层与光阻层，通过一次曝光显影图形化光阻层，并刻蚀得到位于光阻层开口下方的遮蔽层开口，再基于光阻层开口与遮蔽层开口对半导体层进行第一次离子注入，得到第一掺杂区，然后修剪光阻层及遮蔽层以扩大光阻层开口及遮蔽层开口，基于扩大后的光阻层开口与遮蔽层开口对半导体层进行第二次离子注入，得到第二掺杂区，之后去除光阻层与遮蔽层。本发明改善了制程步骤，在光阻层之前引入遮蔽层，达到遮蔽离子注入的作用，从而减小光阻层厚度，使用薄的光阻厚度达到图形化，可实现低阶产品使用佳能光刻设备一次低能量曝光做出光阻图形，能够更好地利用设备，解决阿斯麦光刻设备产能不足的问题。

本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 形成遮蔽层于半导体层上，所述半导体层上形成有多个间隔设置的栅极结构，所述遮蔽层覆盖所述栅极结构； 形成光阻层于所述遮蔽层上，通过一次曝光使预设区域的所述光阻层可显影化； 通过显影使所述光阻层图形化，得到位于所述预设区域的光阻层开口，至少一所述光阻层开口位于相邻两个所述栅极结构之间，所述光阻层开口的宽度小于相邻两个所述栅极结构之间的间距； 基于图形化后的所述光阻层刻蚀所述遮蔽层，得到位于所述光阻层开口下方的遮蔽层开口； 基于所述光阻层开口与所述遮蔽层开口对所述半导体层进行第一次离子注入，得到第一掺杂区，所述第一掺杂区自所述半导体层的顶面往下延伸第一距离； 修剪所述光阻层及所述遮蔽层以扩大所述光阻层开口及所述遮蔽层开口，扩大后的所述遮蔽层开口显露出所述栅极结构的侧壁； 基于扩大后的所述光阻层开口与所述遮蔽层开口对所述半导体层进行第二次离子注入，得到第二掺杂区，所述第二掺杂区自所述半导体层的顶面往下延伸第二距离，所述第二掺杂区的宽度大于所述第一掺杂区的宽度，所述第二掺杂区的底面高于所述第一掺杂区的底面； 去除所述光阻层与所述遮蔽层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯恩(青岛)集成电路有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。