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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种波导型近弹道单行载流子光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117855301B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410024113.9，技术领域涉及：H10F77/124；该发明授权一种波导型近弹道单行载流子光电探测器及其制备方法是由黄庚荣;张柏林;金运姜设计研发完成，并于2024-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种波导型近弹道单行载流子光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种波导型近弹道单行载流子光电探测器，由上至下依次为P型接触层、阻挡层、吸收层、耗尽吸收层、第一过渡层、第二过渡层、崖层、收集层、第三过渡层、电场承受层、N型接触层、稀释波导层、衬底，所述衬底的材料采用InP材料，所述收集层的材料采用InGaAsPQ1.3材料，所述电场承受层的材料采用InP材料。本发明提高了波导型高速NBUTC‑PD工作中的带宽性能，并进一步平滑收集层的导带。

本发明授权一种波导型近弹道单行载流子光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种波导型近弹道单行载流子光电探测器，其特征在于，由上至下依次为P型接触层、阻挡层、吸收层、耗尽吸收层、第一过渡层、第二过渡层、崖层、收集层、第三过渡层、电场承受层、N型接触层、稀释波导层、衬底，所述收集层的材料采用InGaAsPQ1.3材料，所述电场承受层的材料采用InP材料； 所述P型接触层的材料采用p型重掺杂的In0.53Ga0.47As材料，所述阻挡层的材料采用InGaAsPQ1.4材料； 所述吸收层的材料采用p型三级阶梯重型掺杂的窄带隙In0.53Ga0.47As材料，所述耗尽吸收层的材料采用非故意掺杂的n型InGaAs材料； 所述第一过渡层的材料采用InGaAsPQ1.5材料，所述第二过渡层的材料采用InGaAsPQ1.4材料，所述崖层的材料采用InGaAsPQ1.4材料； 所述收集层的材料采用n型轻掺杂的InGaAsPQ1.3材料，所述收集层具备预设场强的电场以降低结电容和保持电子在所述收集层的过冲速度； 所述第三过渡层的材料采用n型轻掺杂的InGaAsPQ1.1材料； 所述电场承受层包括第一电荷层、第二电荷层以及第三电荷层，所述第一电荷层、所述第二电荷层以及所述第三电荷层的材料分别采用p型重掺杂的InP材料、p型轻掺杂的InP材料以及n型重掺杂的InP材料； 所述N型接触层的材料采用n型重掺杂的InGaAsPQ1.3，所述N型接触层与N电极形成欧姆接触，并作为波导的光匹配层； 所述稀释波导层的材料采用若干个周期的本征InGaAsPQ1.05InP材料，每个周期内，InGaAsPQ1.05厚度在预设范围内渐变，渐变步长为预设值。

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