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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种基于多级沟槽的半导体器件终端结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117894844B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311814605.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种基于多级沟槽的半导体器件终端结构是由吴阳阳;王宽;郭飞;徐少东;陈伟;成志杰;袁俊设计研发完成，并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于多级沟槽的半导体器件终端结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于多级沟槽的半导体器件终端结构，属于半导体器件技术领域。该半导体器件终端结构包括衬底、位于衬底上的漂移区、位于衬底背面的阴极，以及阳极；漂移区包括主结区和与主结区相邻的结终端区；主结区包括第一掺杂区；结终端区包括至少一个与第一掺杂区相连的第三掺杂区和至少一个具有台阶结构的多级沟槽；多级沟槽的外壁设置有第二掺杂区，其内部填充有介质层；阳极与第一掺杂区和第三掺杂区电连接。衬底与漂移区的掺杂类型相同；第二掺杂区、第三掺杂区和第一掺杂区的掺杂类型相同，且与衬底的掺杂类型相反。该半导体器件终端结构能够实现主结区和终端区之间的电荷平衡，提高器件的击穿电压。

本发明授权一种基于多级沟槽的半导体器件终端结构在权利要求书中公布了：1.一种基于多级沟槽的半导体器件终端结构，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底上的漂移区、位于所述衬底背离所述漂移区一侧的阴极，以及阳极；所述漂移区包括主结区以及与所述主结区相邻的结终端区；所述主结区包括第一掺杂区；所述结终端区包括至少一个第三掺杂区和多个具有台阶结构的多级沟槽；所述第三掺杂区与所述第一掺杂区相连；所述多级沟槽的级数n为≥2的整数；所述多级沟槽从所述漂移区背离所述衬底的一侧表面向所述衬底的方向延伸；所述多级沟槽的外壁设置有第二掺杂区；所述多级沟槽内部填充有介质层；所述衬底与所述漂移区的掺杂类型相同；所述第二掺杂区、所述第三掺杂区和所述第一掺杂区的掺杂类型相同，且与所述漂移区的掺杂类型相反； 所述阳极在沿着所述主结区至所述结终端区的方向上延伸，在靠近所述第一掺杂区的一侧，所述第三掺杂区与一部分所述多级沟槽交替排列且所述第三掺杂区与所述第二掺杂区直接相连，所述阳极与相邻两个所述多级沟槽之间的第三掺杂区接触，另一部分远离所述第一掺杂区一侧的所述多级沟槽处于浮空状态。

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