买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种半导体工艺波动监测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361450B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311638460.2，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种半导体工艺波动监测方法是由于春凤;刘圣美设计研发完成，并于2023-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体工艺波动监测方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体工艺波动监测方法，该方法在晶圆的测试区域形成多晶硅测试结构，包括依次连接的第一多晶硅焊盘、多晶硅线与第二多晶硅焊盘，通过测量测试结构的电阻以获得晶圆的多晶硅测试电阻值并判断晶圆的多晶硅电阻波动是否达标，同时收集测试结构的尺寸数据并判断晶圆的多晶硅尺寸是否达标，当两者均达标则继续形成介质层并进行CMP以获得目标形貌面，收集目标形貌面的AFM测试数据；当任意一者不达标则停止晶圆的后续膜层沉积与数据收集；然后在收集的AFM测试数据的基础上进行DFM化学机械抛光模型创建。通过本发明的半导体工艺波动监测方法能够及时识别出不良片，减少成本浪费，同时能及时防止将错误数据带入后续的建模中。

本发明授权一种半导体工艺波动监测方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺波动监测方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供晶圆，所述晶圆包括沿所述晶圆所在平面按预设规则划分的器件区域与测试区域； 形成多晶硅层于所述晶圆上，图形化所述多晶硅层以得到位于所述测试区域的测试结构，所述测试结构包括依次连接的第一多晶硅焊盘、多晶硅线与第二多晶硅焊盘； 通过所述第一多晶硅焊盘与所述第二多晶硅焊盘测量所述测试结构的电阻以获得所述晶圆的多晶硅测试电阻值，基于所述测试电阻值判断所述晶圆的多晶硅电阻波动是否达标； 收集所述测试结构的尺寸数据，基于所述测试结构的尺寸数据判断所述晶圆的多晶硅尺寸是否达标； 当所述晶圆的多晶硅电阻波动及多晶硅尺寸中两者均达标时，形成介质层于所述多晶硅层上，并对所述介质层进行化学机械抛光以获得目标形貌面，收集所述目标形貌面的原子力显微镜测试数据，当多晶硅电阻波动及多晶硅尺寸中任意一者不达标，则停止所述晶圆的后续膜层沉积与原子力显微镜测试数据收集； 在收集的所述原子力显微镜测试数据的基础上进行DFM化学机械抛光模型创建。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯恩(青岛)集成电路有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。