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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922981B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311449529.7，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及显示面板是由李壮;张春鹏;艾飞;袁剑峰;李治福设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本发明提供一种阵列基板及显示面板，包括衬底和多个半导体器件，衬底上具有有源定义部，半导体器件包括有源层及栅极层。有源定义部包括与衬底的顶面相接触的第一底面、与第一底面平行的第一顶面以及连接在第一顶面和第一底面之间且呈倾斜设置的连接面。连接面与第一顶面的交界处为第一边缘。有源层设置于衬底和有源定义部上，有源层包括沟道部；栅极层包括与沟道部对应设置的栅极。其中，有源层包括单晶起点，单晶起点与第一边缘对应。有源层的晶粒在衬底及有源定义部上沿垂直于单晶起点的方向水平扩散生长；单晶起点两侧与第一边缘平行的两行单晶粒所在区域为单晶区，沟道部位于单晶区，栅极在垂直衬底的方向上有且仅覆盖两行单晶粒中的一行。

本发明授权阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底和位于所述衬底上的多个半导体器件； 所述衬底上具有有源定义部，所述有源定义部包括与所述衬底的顶面相接触的第一底面、与所述第一底面平行的第一顶面以及连接在所述第一顶面和所述第一底面之间且呈倾斜设置的连接面，所述连接面与所述第一顶面的交界处为第一边缘，所述连接面与所述第一底面的交界处为第二边缘； 所述半导体器件包括： 有源层，设置于所述衬底和所述有源定义部上，包括第一掺杂部、第二掺杂部，以及位于所述第一掺杂部和所述第二掺杂部之间的沟道部；以及 栅极层，包括与所述沟道部对应设置的栅极，所述栅极层和所述有源层之间设置有栅极绝缘层； 其中，所述有源层包括单晶起点，所述有源层的晶粒在所述衬底及所述有源定义部上沿垂直于所述单晶起点的方向水平扩散生长，所述单晶起点与所述第一边缘对应；所述单晶起点两侧与所述第一边缘平行的两行单晶粒所在区域为单晶区，所述沟道部位于所述单晶区，所述栅极在垂直所述衬底的方向上有且仅覆盖两行所述单晶粒中的一行。

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