华中科技大学宋先杰获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种高温薄膜传感器用的抗氧化保护层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117230408B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311300479.6，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种高温薄膜传感器用的抗氧化保护层及其制备方法是由宋先杰;傅邱云设计研发完成，并于2023-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高温薄膜传感器用的抗氧化保护层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于薄膜传感器技术领域，公开了一种高温薄膜传感器用的抗氧化保护层及其制备方法，该抗氧化保护层从下至上分别包括Al2O3绝缘层薄膜、稀土元素RE掺杂HfB2‑MoSi2薄膜、最外层Al2O3薄膜；其中，稀土元素RE掺杂HfB2‑MoSi2薄膜为HfB2与MoSi2复合材料、且其中掺杂有稀土元素RE。本发明通过对抗氧化保护层的结构及组成进行改进，相应得到的高温用薄膜传感器的抗氧化保护层能够利用高温下RE掺杂HfB2‑MoSi2材料生成的硅酸盐及硼酸盐等多种玻璃相，使得保护层具有良好的自愈合能力，从而能够对器件在高温有氧环境下产生的微裂纹等缺陷进行修复，提高整体器件性能及寿命，能够在1100℃‑1800℃高温有氧环境下为薄膜传感器提供抗氧化保护。
本发明授权一种高温薄膜传感器用的抗氧化保护层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高温薄膜传感器用的抗氧化保护层，其特征在于，从下至上分别包括Al2O3绝缘层薄膜、稀土元素RE掺杂HfB2-MoSi2薄膜、最外层Al2O3薄膜；其中，所述稀土元素RE掺杂HfB2-MoSi2薄膜为HfB2与MoSi2复合材料、且其中掺杂有稀土元素RE；所述Al2O3绝缘层薄膜的厚度为1～1.5μm，所述稀土元素RE掺杂HfB2-MoSi2薄膜的厚度为1～2μm，所述最外层Al2O3薄膜的厚度为1～2μm。
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