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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545780B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311118156.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备是由王耐征;田超;贾礼宾;平延磊;周俊设计研发完成，并于2023-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。属于半导体技术领域。所述制造方法中，通过在制作第一过孔时形成尺寸不同且交替分布的第一孔段和第二孔段，在孔径更大的第一孔段内填充满环绕孔壁的牺牲层并图案化形成具有第二过孔的环状牺牲结构后，在第二过孔内形成第一孔段和第二孔段的半导体层。在相邻组合膜层之间的区域开孔露出第一孔段的牺牲结构，刻蚀去除牺牲结构使得位于第一孔段内的寄生MOS的半导体层露出，因第二孔段的导电层以及半导体层没有牺牲结构，去除第一孔段的半导体层不影响第一孔段的半导体层。本申请实施例能够消除寄生MOS且制作工艺难度较小，容易实现。

本发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底的一侧形成多个组合膜层；多个组合膜层在衬底的不同区域周期性间隔分布，不同区域的组合膜层对应不同的存储单元；每个所述组合膜层包括多层交替堆叠的第一介质层和第一导电层、以及第一过孔；所述第一过孔中贯穿于所述第一介质层的孔为第一孔段，贯穿于所述第一导电层的孔为第二孔段；相邻组合膜层之间为沟槽，在所述沟槽内填充第三介质层； 在所述第一过孔内填充牺牲层，所述牺牲层的材料不同于所述第一介质层的材料； 图案化所述牺牲层，形成与所述第一过孔同轴的第二过孔，使得所述第一孔段内剩余的牺牲层形成环状的牺牲结构，并使得所述第二孔段内的牺牲层完全去除；沿平行于所述衬底的方向，所述第二孔段的尺寸小于所述第一孔段的尺寸； 在所述第二过孔内依次形成覆盖所述第二过孔内壁的半导体层、栅极介质层和字线，所述第一介质层对应区域的所述半导体层被所述环状的牺牲结构环绕； 在相邻组合膜层之间开设过孔使得部分所述牺牲结构露出，去除所述环状的牺牲结构，使得位于所述第一介质层对应区域的环状的半导体层露出； 去除所述相邻组合膜层之间露出的所述半导体层。

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