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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119495561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311042836.3，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体结构的形成方法是由徐瑞;任堃;高大为设计研发完成，并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括栅极区、以及位于栅极区两侧的源漏区；在栅极区上形成初始栅极结构，初始栅极结构包括初始栅介质层、以及位于初始栅介质层上的初始栅极层；在初始栅极结构的侧壁形成侧墙结构，侧墙结构包括位于第一侧墙和第二侧墙；在衬底上形成阻挡结构，阻挡结构内具有阻挡开口；在源漏区内形成源漏开口；在源漏开口内形成初始源漏掺杂层，初始源漏掺杂层填充满源漏开口且延伸至阻挡开口内；去除第一侧墙；在氢气气氛下对初始栅极结构和初始源漏掺杂层进行退火处理，以使初始栅极结构形成栅极结构，以及初始源漏掺杂层形成源漏掺杂层。进而有效的改善栅极结构和源漏掺杂层的线宽粗糙度。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括栅极区、以及位于所述栅极区两侧的源漏区； 在所述栅极区上形成初始栅极结构，所述初始栅极结构包括初始栅介质层、以及位于所述初始栅介质层上的初始栅极层； 在所述初始栅极结构的侧壁形成侧墙结构，所述侧墙结构包括位于所述初始栅极结构侧壁的第一侧墙、以及位于所述第一侧墙侧壁的第二侧墙； 在所述衬底上形成阻挡结构，所述阻挡结构内具有阻挡开口，所述阻挡开口暴露出所述源漏区的顶部表面； 以所述阻挡结构为掩膜刻蚀所述源漏区，在所述源漏区内形成源漏开口；在所述源漏开口内形成初始源漏掺杂层，所述初始源漏掺杂层填充满所述源漏开口且延伸至所述阻挡开口内； 在形成所述初始源漏掺杂层之后，去除所述第一侧墙，在所述第二侧墙和所述初始栅极结构之间形成间隙； 在氢气气氛下对所述初始栅极结构和所述初始源漏掺杂层进行退火处理，以使所述初始栅极结构形成栅极结构，所述栅极结构与所述第二侧墙接触，以及所述初始源漏掺杂层形成源漏掺杂层。

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