中国地质大学(武汉)刘力获国家专利权
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龙图腾网获悉中国地质大学(武汉)申请的专利一种硅基TM偏振起偏器及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116974011B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310964343.9，技术领域涉及：G02B6/126；该发明授权一种硅基TM偏振起偏器及其设计方法是由刘力;廖贝设计研发完成，并于2023-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基TM偏振起偏器及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅基TM偏振起偏器及其设计方法，该起偏器包括输入波导、主体波导和输出波导，主体波导被均分为多个相同的标准方格，部分标准方格中心刻蚀有空气柱，以改变主体波导的拓扑分布来改变光场，从而由入射光源中分离出TM偏振光、以及隔离TE偏振光。本发明的有益效果：按照最大化TM偏振光透过率、以及最小化TE偏振光透过率的设计规则确定每一标准方格是否刻蚀有空气柱，在主体波导内部刻蚀与该设计规则相适应的空气柱，进而实现TM偏振光通过而阻隔与其正交的TE偏振光的效果，能够在更紧凑的尺寸内通过优化刻蚀空气柱的位置参数义获得更高的TE阻隔效率，提高设计精准度同时保证了器件的最小线宽满足工艺要求，其工艺可制备。
本发明授权一种硅基TM偏振起偏器及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基TM偏振起偏器，其特征在于：包括沿着光路方向依次设置的输入波导、主体波导和输出波导，所述主体波导被均分为多个相同的标准方格，部分所述标准方格中心刻蚀有空气柱，以改变所述主体波导的拓扑分布来改变光场，从而由入射光源中分离出TM偏振光、以及隔离TE偏振光，其中每一所述标准方格内是否刻蚀所述空气柱的确定原则为： 对所述主体波导上的所有标准方格是否刻蚀所述空气柱随机赋予或者人工设定，作为初始结构； 按照伴随法的电磁仿真步骤，对所述主体波导进行正向与伴随两次电磁仿真，提取并计算各个标准方格对应的梯度信息； 将每个标准方格的梯度信息与随机数进行比较，选中梯度值比随机数大的标准方格，若该标准方格状态为刻蚀有空气柱，则将其移除；反之若该标准方格中没有刻蚀空气柱，则保留当前状态； 在此算法收敛之后得到的结构基础上，再利用直接二进制算法对所有空气柱进行遍历仿真即得到最终的刻蚀结构。
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