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龙图腾网获悉南京博芯电子技术有限公司申请的专利一种采用二阶温度补偿的带隙基准电压源及其工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116679789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310753569.4，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种采用二阶温度补偿的带隙基准电压源及其工作方法是由杨淼;周俊豪设计研发完成，并于2023-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用二阶温度补偿的带隙基准电压源及其工作方法在说明书摘要公布了：一种采用二阶温度补偿的带隙基准电压源及其工作方法，偏置电路包括正压偏置电流产生电路，核心基准电路包括反馈控制运放电路，反馈控制运放电路包括正压产生电路以及负压产生电路；正压产生电路中两个三极管的基极‑发射极电压之间的差值为第一电压差，第一电压差对负压产生电路中三极管产生的负温度系数电压进行一阶补偿；正压偏置电流产生电路中两个三极管的基极‑发射极电压之间的差值在电阻上生成正温度系数的偏置电流；偏置电流流经正压产生电路中的电阻时产生第二电压差，第二电压差对一阶补偿后的负温度系数电压进行二阶温度补偿，其中第一电压差和第二电压差都是正温度系数电压。本发明通过二次温度补偿获得更低温漂系数的基准电压。

本发明授权一种采用二阶温度补偿的带隙基准电压源及其工作方法在权利要求书中公布了：1.一种采用二阶温度补偿的带隙基准电压源，包括：启动电路，偏置电路，核心基准电路，其特征在于： 偏置电路包括正压偏置电流产生电路和镜像电路，核心基准电路包括反馈控制运放电路，反馈控制运放电路包括正压产生电路以及负压产生电路； 正压产生电路包括两个三极管和一个电阻，负压产生电路包括一个三极管；正压产生电路中两个三极管的基极发射极电压之间的差值为第一电压差，第一电压差对负压产生电路中三极管产生的负温度系数电压进行一阶补偿；正压偏置电流产生电路包括两个三极管和一个电阻，两个三极管的基极发射极电压之间的差值在电阻上生成正温度系数的偏置电流；偏置电流流经正压产生电路中的电阻时产生第二电压差，第二电压差对一阶补偿后的负温度系数电压进行二阶温度补偿，其中第一电压差和第二电压差都是正温度系数电压； 核心基准电路包括：第十七至二十三MOS管M17、M18、M19、M20、M21、M22、M23，第五至十三极管Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10，第四至八电阻R4、R5、R6、R7、R8，第二电容C2；M17的源极接电源VDD，M17的栅极与漏极短接，M17的漏极接Q5的集电极，Q5的基极接R7的一端，Q5的发射极接M18的漏极，M18的栅极接所述镜像电路，M18的源极接地，M19的源极接电源VDD，M19的栅极接M17的栅极，M19的漏极接Q6的集电极，Q6的基极接R8的一端，Q6的发射极接R4的一端，R4的另一端接M18的漏极，M20的源极接电源VDD，M20的栅极接M114的栅极，M20的漏极接R5的一端，R5的另一端接Q7的集电极和基极，Q7的发射极接Q8的基极和集电极，Q8的发射极接M21的漏极，M21的栅极接Q6的集电极，M21的源极接地，C2的一端接M21的栅极，C2的另一端接M21的漏极，M22的源极接电源VDD，M22的栅极接M20的栅极，M22的漏极接Q9的集电极，Q9的基极接M20的漏极，Q9的发射极接M23的漏极，M23的栅极接所述镜像电路，M23的源极接地，R6的一端接Q9的发射极，也是基准电压源的输出端，输出参考电压VREF，R6的另一端接R7的一端，R7另一端接R8的一端，R8的另一端接Q10的基极和集电极，Q10的发射极接地。

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