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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司申请的专利一种超声换能器装置及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116637792B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310609058.5，技术领域涉及：B06B1/06；该发明授权一种超声换能器装置及显示装置是由秦云科;佟月设计研发完成，并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超声换能器装置及显示装置在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种超声换能器装置及显示装置，通过将薄膜晶体管电路和超声换能器结合，形成了大面积、阵列化的超声波指纹识别结构，能够进行指纹识别，结构简单且识别精度高。

本发明授权一种超声换能器装置及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种超声换能器装置，其中，包括衬底基板，所述衬底基板包括阵列分布的多个超声单元，每一所述超声单元包括： 薄膜晶体管电路，设置在所述衬底基板上； 至少一个第一超声换能器，设置在所述薄膜晶体管电路背离所述衬底基板的一侧，所述第一超声换能器包括层叠设置在所述薄膜晶体管电路背离所述衬底基板一侧的第一电极、第一振动膜层和第二电极，所述第一电极和所述第一振动膜层之间具有空腔，所述第一电极与所述薄膜晶体管电路电连接，所述第二电极与驱动电压线电连接； 其中，还包括用于向所述薄膜晶体管电路加载驱动信号的多条驱动信号线，至少存在相邻两行所述超声单元之间共用同一所述驱动信号线，或，至少存在相邻两列所述超声单元之间共用同一所述驱动信号线； 所述薄膜晶体管电路包括：第一晶体管，第二晶体管，第三晶体管，第四晶体管，以及存储电容；所述驱动信号线包括：第一栅线、第二栅线、第三栅线、第一电压线、第二电压线、所述驱动电压线和信号读取线；其中， 所述第一晶体管的栅极与所述第一栅线电连接，所述第一晶体管的第一极与所述第一电压线电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第一极电连接； 所述第二晶体管的栅极与所述第二栅线电连接，所述第二晶体管的第二极与所述第三晶体管的栅极电连接； 所述第三晶体管的第一极与所述第二电压线电连接，所述第三晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极电连接； 所述第四晶体管的栅极与所述第三栅线电连接，所述第四晶体管的第二极与所述信号读取线电连接； 所述存储电容的第一端与所述第二电压线电连接，所述存储电容的第二端与所述第三晶体管的栅极电连接； 所述第一超声换能器的第一电极与所述第二晶体管的第一极电连接。

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