买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利存储器及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118742012B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310311145.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及其制造方法、电子设备是由艾学正;王祥升;王桂磊;桂文华;赵超;戴瑾;于伟设计研发完成，并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储器及其制造方法、电子设备。该存储器包括存储层。存储器的制造方法包括以下步骤。形成覆盖导电图案层侧壁及牺牲图案层侧壁的初始第一绝缘层。沿垂直衬底方向形成贯穿导电单元及对应牺牲图案层的字线孔。于字线孔的侧壁上依次形成初始半导体层、第一介电层以及覆盖第一介电层背离初始半导体层表面并填充字线孔的字线。去除牺牲图案层侧壁上的初始第一绝缘层，形成第一绝缘层。去除牺牲图案层，以暴露出牺牲图案层中字线孔内的初始半导体层。刻蚀初始半导体层，形成分别位于导电单元中的半导体部。本公开可以实现简单且方便地从外部去除寄生晶体管，从而提升存储器的性能。

本发明授权存储器及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括： 沿垂直衬底方向形成交替层叠的多层导电图案层和多层牺牲图案层；其中，所述导电图案层包括：沿列方向延伸的位线，以及与所述位线一体连接且在所述列方向上间隔排布的多个导电单元；所述导电图案层在所述衬底上的正投影位于所述牺牲图案层在所述衬底上的正投影内，且所述导电图案层在所述衬底上的正投影外边界与所述牺牲图案层在所述衬底上的正投影外边界之间具有间隔； 形成覆盖所述导电图案层侧壁及所述牺牲图案层侧壁的初始第一绝缘层，所述初始第一绝缘层与所述牺牲图案层的材料不同； 沿垂直衬底方向形成贯穿所述导电单元及对应所述牺牲图案层的字线孔；所述导电单元中的所述字线孔暴露出所述导电图案层以及与所述导电图案层同层设置的所述初始第一绝缘层的侧壁，使得每个所述导电单元间隔为独立的两部分，同时暴露出位于相邻两层所述导电图案层之间的所述牺牲图案层，所述牺牲图案层全环绕所述字线孔； 于所述字线孔的侧壁上依次形成初始半导体层、第一介电层以及字线； 在连接同一所述位线的相邻两个所述导电单元之间的所述初始第一绝缘层区域沿着垂直所述衬底方向刻蚀所述初始第一绝缘层，得到贯通孔，所述贯通孔的侧壁露出所述牺牲图案层，图案化后的所述初始第一绝缘层，形成第一绝缘层； 在所述贯通孔内去除相邻所述导电图案层之间各区域的所述牺牲图案层，以暴露出相邻所述导电图案层之间的所述初始半导体层； 在所述贯通孔内去除相邻所述导电图案层之间的所述初始半导体层，形成分别对应于多个所述导电单元的多个相互独立的半导体部； 于所述牺牲图案层的去除区域及所述初始半导体层的刻蚀区域回填绝缘材料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京超弦存储器研究院，其通讯地址为：102600 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街52幢5层501-12；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。