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龙图腾网获悉嘉善复旦研究院申请的专利柔性自驱动压力传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116222845B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310255209.1，技术领域涉及：G01L1/22；该发明授权柔性自驱动压力传感器及其制备方法是由陶娟;丁士进;朱宝设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本柔性自驱动压力传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种柔性自驱动压力传感器及其制备方法，涉及柔性传感器的技术领域。压力传感器包括依次层叠设置的底部封装部、摩擦电压力传感部和顶部封装部；摩擦电压力传感部包括层叠设置的MXene基硅胶层和压力摩擦层；MXene基硅胶层上靠近所述压力摩擦层的一侧成型有多个MXene基硅胶微结构块和多个MXene基隔离壁，多个MXene基隔离壁另一端与压力摩擦层相互抵触，多个MXene基硅胶微结构块位于MXene基硅胶层与压力摩擦层之间；MXene基硅胶微结构块靠近压力摩擦层的一侧呈尖端设置。本发明提供的压力传感器可以探测较小压力，并且稳定性好响应速度快，无需外部电能输入，同时工艺简单、可重复性强，在柔性可穿戴电子，生物医疗和智能软体机器人上有着较好的应用前景。

本发明授权柔性自驱动压力传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种柔性自驱动压力传感器，其特征在于，包括从底部至顶部依次层叠设置的底部封装部、摩擦电压力传感部和顶部封装部； 所述摩擦电压力传感部包括层叠设置的MXene基硅胶层和压力摩擦层； 所述MXene基硅胶层靠近所述压力摩擦层的一侧一体成型有多个MXene基硅胶微结构块和多个MXene基隔离壁，多个所述MXene基隔离壁相对远离所述MXene基硅胶层的一端与所述压力摩擦层相互抵触，多个所述MXene基硅胶微结构块位于所述MXene基硅胶层与所述压力摩擦层之间； 所述MXene基硅胶微结构块靠近所述压力摩擦层的一侧呈尖端设置； 多个所述MXene基硅胶微结构块阵列设置在所述MXene基硅胶层上； 多个所述MXene基硅胶微结构块从阵列中心向阵列四周的第一尺寸依次减小；所述第一尺寸为所述MXene基硅胶微结构块端部与所述MXene基硅胶层的垂直距离； 所述MXene为MAX相移除主族元素后形成的具有二维结构的材料； 所述MAX相为Mn+1AXn，其中n等于1、2和3中的任一个，M为过渡金属元素，A为主族元素，X为碳元素或氮元素。

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