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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种光电能量转换器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310087294.5，技术领域涉及：H01J1/34；该发明授权一种光电能量转换器件及制备方法是由林祖芳;陈军设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光电能量转换器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光电能量转换器件及制备方法，包括平行排列的阴极基板和阳极基板；阴极基板包括透明的阴极衬底、位于阴极衬底上的阴极电极层、位于阴极电极层上的阴极生长源薄膜、位于阴极生长源薄膜上的阴极纳米线、包覆于阴极纳米线表面的为热电材料的覆盖层；阳极基板包括透明的阳极衬底、位于阳极衬底上的阳极电极层；阴极基板和阳极基板之间通过高压绝缘的隔离体隔开固定，以使阴极基板与阳极基板之间留有真空间隙，工作时，纳米线阴极在外加光照及阳极外加电场共同作用下发射电子，电子发射过程中由于焦耳热的作用，纳米线存在温度梯度，温度梯度使得热电材料出现轴向电势，该电势增加发射电流，从而提高转换效率。

本发明授权一种光电能量转换器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电能量转换器件，其特征在于：包括平行排列的阴极基板和阳极基板； 所述阴极基板包括透明的阴极衬底（9）、位于阴极衬底（9）上的阴极电极层（8）、位于阴极电极层（8）上的阴极生长源薄膜（7）、位于阴极生长源薄膜（7）上的阴极纳米线（6）、包覆于阴极纳米线（6）表面的为热电材料的覆盖层（5）； 所述阳极基板包括透明的阳极衬底（1）、位于阳极衬底（1）上的阳极电极层（3）； 所述阴极基板和阳极基板之间通过高压绝缘的隔离体（4）隔开固定，以使所述阴极基板和阳极基板之间留有真空间隙； 所述阴极电极层（8）为透明导电薄膜，其包括ITO导电薄膜； 所述阴极纳米线（6）为半导体纳米线，其包括Si纳米线、氧化铜纳米线、氧化锌纳米线、砷化镓纳米线或磷化铟纳米线； 所述热电材料包括Bi0.5Sb1.5Te3，厚度为15nm； 阴极纳米线（6）发射电子的过程中产生的焦耳热令阴极纳米线（6）轴向存在温度梯度，使热电材料出现轴向电势，以提高发射电流和抑制温度上升。

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