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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十三研究所申请的专利一种高功率金刚石基微波负载的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954173B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211728117.2，技术领域涉及：H01C17/075；该发明授权一种高功率金刚石基微波负载的制备方法是由冯书剑;刘俊夫;李林森;张正缘;黄陈欢;王畅设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高功率金刚石基微波负载的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高功率金刚石基微波负载的制备方法，该方法包括以下步骤：S1、对基板进行激光加工开槽；S2、对基板进行表面处理；S3、在基板的正面依次溅射电阻膜层和金属种子层，背面溅射金属种子层，在激光开槽形成的孔槽的表面溅射金属种子层；S4、对基板正面、背面和侧面上的金属种子层进行电镀加厚形成导体层，并对电镀加厚处理完的基板进行热处理；S5、在基板正面制作金属导体图形；S6、在基板正面制作电阻图形；S7、对基板正面的电阻图形进行热氧化调阻；S8、对基板正面电阻图形区域印制介质胶；S9、对基板进行单元划分，金刚石基微波负载制备完成。该方法能够解决现有技术中的不足，实现基于CVD金刚石基板的薄膜电阻制备。

本发明授权一种高功率金刚石基微波负载的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高功率金刚石基微波负载的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： S1、基板的选取及基板的激光开槽 选取CVD金刚石基板作为基板，对基板进行激光加工开槽； S2、基板表面处理 对完成激光开槽后的基板进行表面处理； S3、电阻膜层和金属种子层的溅射 在完成激光开槽的基板的正面依次溅射电阻膜层和金属种子层，背面溅射金属种子层，在激光开槽形成的孔槽的表面溅射金属种子层； S4、电镀加厚处理及热处理 对基板正面、背面和侧面上的金属种子层进行电镀加厚形成导体层，并对电镀加厚处理完的基板进行热处理； S5、金属导体图形的制作 在基板正面制作金属导体图形； S6、电阻图形的制作 在基板正面制作电阻图形； S7、热氧化调阻 对基板正面的电阻图形进行热氧化调阻； S8、印制介质胶 对基板正面电阻图形区域印制介质胶； S9、基板单元划分 对基板进行单元划分，金刚石基微波负载制备完成； 所述电阻膜层和金属种子层的溅射，包括： S31：正面溅射 采用磁控溅射的方式在完成激光开槽的基板的正面成膜TaN膜层；采用磁控溅射的方式在完成激光开槽的基板的正面成膜WTi膜层和Au膜层； S32、背面溅射 采用磁控溅射的方式在完成激光开槽的基板的背面成膜WTi膜层和Au膜层； S33、侧壁溅射 采用磁控溅射的方式在完成激光开槽的基板的孔槽的侧壁上成膜WTi膜层和Au膜层； 所述电镀加厚处理及热处理，包括： S41：根据基板的形状和尺寸，选择相应的电镀挂具； S42：对基板进行酸洗活化； S43：根据基板需要电镀的面积计算电镀挂具电镀电流大小和电镀时间，根据电镀电流大小和电镀时间，采用电镀挂具对基板进行电镀处理； S44：采用去离子水冲洗电镀处理后的基板； S45：采用100℃温度对基板进行烘干，烘干时间为10分钟； S46、对电镀加厚的基板进行热处理，进行高温退火。

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