北京大学;华为技术有限公司蔡一茂获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学;华为技术有限公司申请的专利一种调控非易失存储器多值存储的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527583B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211301755.6，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权一种调控非易失存储器多值存储的方法是由蔡一茂;王錡深;王宗巍;鲍盛誉;古绍泓;黄如设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种调控非易失存储器多值存储的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种调控非易失存储器多值存储的方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明控制晶体管的源漏端电压差，不断搜索晶体管的栅极电压的最高幅值，采用线性快速下降方式调控晶体管的栅极电压，其下降终点与速度设置分别为0～12Vg与1ps～10ns，通过set操作或Reset操作完成阻变存储器的阻态变化，实现非易失存储器多值存储。本发明由于采用非恒压式调控栅极电压快速下降，利用晶体管能极快速关断的特性，对电流进行及时控制，可以控制阻变存储器的阻值区间；且低阻区间有利于降低操作电压，进而减缓器件特性的退化。
本发明授权一种调控非易失存储器多值存储的方法在权利要求书中公布了：1.一种调控非易失存储器多值存储的方法，所述非易失存储器包括晶体管和阻变存储器，其特征在于，设定Set或Reset的正向电压操作端在晶体管的漏端，阻变存储器置于晶体管的源端或漏端，晶体管的漏端以及栅极施加线性增加的正向电压，晶体管的源端与衬底施加共地电位；控制晶体管的源漏端电压差，不断搜索晶体管的栅极电压的最高幅值，搜索晶体管的栅极电压的区间起点设置为从0.5V到3V，变化幅度设置为1mV到0.5V，采用线性快速下降方式调控晶体管的栅极电压，其下降终点与操作时间设置分别为0~12Vg与1ps~10ns，通过set操作或Reset操作来完成阻变存储器的阻态变化，实现非易失存储器多值存储。
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