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江西圆融光电科技有限公司杨天鹏获国家专利权

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龙图腾网获悉江西圆融光电科技有限公司申请的专利一种LED芯片及LED芯片的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115663074B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211150715.6,技术领域涉及:H10H20/01;该发明授权一种LED芯片及LED芯片的制造方法是由杨天鹏;杨建国;卜浩礼;康建;邹浩洪;周荣设计研发完成,并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

一种LED芯片及LED芯片的制造方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种LED芯片及LED芯片的制造方法,该LED芯片的制造方法包括以下步骤抛光、湿洗、光刻、离子注入、蚀刻、等离子冲洗、热处理、化学气相沉积、物理气相沉积、电镀处理、表面处理、测试封装,所述步骤十中采用铂金钛网材料进行电镀,所述步骤五中蚀刻包括干蚀刻和湿蚀刻,所述干蚀刻是将之前光刻出来一些不需要的形状,通过等离子体将其洗掉,所述湿蚀刻通过试剂进一步对硅晶圆进行清洗,所述步骤十一中对硅晶圆表面残留的杂质以及光刻胶剥离后,通过对硅晶圆表面进行反复清洗,且待电镀完成后,再次对硅晶圆表面残留的杂质以及光刻胶进行剥离,避免出现正面焊线难与虚焊或背面造成压降偏高和击穿等现象发生。

本发明授权一种LED芯片及LED芯片的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种LED芯片的制造方法,其特征在于:该LED芯片的制造方法包括以下步骤: 步骤一、抛光,选取一块圆形硅晶圆,将硅晶圆固定在基板上,进行抛光; 步骤二、湿洗,使用试剂对硅晶圆进行清洗,保证硅晶圆表面没有杂质; 步骤三、光刻,使用紫外线透过蒙版照射硅晶圆,被照到的地方就会容易被洗掉,没被照到的地方就保持原样,在硅晶圆上面刻出对应的图案; 步骤四、离子注入,在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质,不同的杂质根据浓度和位置的不同组成了场效应管; 步骤五、蚀刻,对经离子注入后的硅晶圆进行蚀刻; 步骤六、等离子冲洗,采用等离子清洗设备对硅晶圆进行冲洗,去除表面污染物和氧化层; 步骤七、热处理,对冲洗结束后的硅晶圆进行加热处理; 步骤八、化学气相沉积,利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜; 步骤九、物理气相沉积,真空条件下采用物理方法将硅晶圆表面气化成气态原子或分子,或部分电离成离子,并通过低压气体或等离子体过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜; 步骤十、电镀处理,对硅晶圆进行电镀处理; 步骤十一、表面处理,对硅晶圆表面残留的杂质以及光刻胶进行剥离; 步骤十二、测试封装,对硅晶圆进行测试,测试通过后打磨封装即可。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人江西圆融光电科技有限公司,其通讯地址为:337039 江西省萍乡市安源区安源工业园重庆中路1号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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