中国科学院海洋研究所姜旭宏获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院海洋研究所申请的专利用于光致阴极保护的纳米线阵列复合光电薄膜及制备与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116254533B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211104105.2，技术领域涉及：C23F13/12；该发明授权用于光致阴极保护的纳米线阵列复合光电薄膜及制备与应用是由姜旭宏;孙萌萌;鹿桂英;侯保荣设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于光致阴极保护的纳米线阵列复合光电薄膜及制备与应用在说明书摘要公布了：本发明属于光致阴极保护领域，具体地讲，本发明涉及一种CdSrGOQDsTiO2分支纳米线阵列复合光电薄膜及其制备方法和应用。通过一种简便的原位水热法构建了具有分支结构的TiO2纳米线阵列基底薄膜，然后采用恒电流阴极还原沉积和连续离子层吸附反应将rGO量子点和CdS纳米颗粒沉积在其上，构建了界面充分接触的CdSrGOQDsTiO2分支纳米线异质结光电极。在模拟太阳光照射下，本复合薄膜可实现在海水中对多种金属材料如316LSS和Cu的光致阴极保护作用，具有操作简单易行，光电转换效率高的优点。
本发明授权用于光致阴极保护的纳米线阵列复合光电薄膜及制备与应用在权利要求书中公布了：1.一种用于光致阴极保护的分支纳米线阵列复合光电薄膜，其特征在于：复合光电薄膜为于具有分支结构的TiO2纳米线阵列基底上沉积rGO量子点和CdS纳米颗粒构建而成的复合异质结体系CdSrGOQDsTiO2分支纳米线阵列复合光电薄膜； 所述具有分支结构的TiO2纳米线阵列基底为通过调控初始反应溶剂用量，利用原位水热法在导电基材上直接生长的TiO2薄膜材料； 具体为，将干净的FTO导电玻璃置于高压反应釜中，导电面朝下，加入溶液a在160-200℃下水热合成8-10小时，直接生长具有分支结构的TiO2纳米线阵列基底薄膜；其中，溶液a为草酸钛钾粉末溶于一缩二乙二醇（DEG）和去离子水的溶液，且DEG和去离子水的体积比为2.7-3.3：（0.9-1.10），溶液a中草酸钛钾粉末的终浓度为1.9-2.1mM，水热结束后在马弗炉中退火处理以得到灰白色TiO2纳米线基底。
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