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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种大面积硫化钯或/和二硫化钯纳米薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115874151B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211050004.1，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权一种大面积硫化钯或/和二硫化钯纳米薄膜的制备方法是由郝国林;高慧;郝玉龙;肖金彪;贺力员设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大面积硫化钯或/和二硫化钯纳米薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大面积硫化钯或和二硫化钯纳米薄膜的制备方法。采用电子束蒸发镀膜与化学气相沉积方法，通过改变预沉积的钯金属纳米薄膜厚度，可以实现硫化钯、二硫化钯或硫化钯与二硫化钯的混合相纳米薄膜的可控制备。包括：一、使用电子束蒸发镀膜仪，将不同厚度的钯金属纳米薄膜蒸镀至二氧化硅基底。二、将硫粉置于管式炉第一温区，生长基底置于第二温区，利用常压化学气相沉积方法进行大面积硫化钯、二硫化钯或硫化钯与二硫化钯的混合相纳米薄膜的可控生长。硫化钯与二硫化钯纳米薄膜因其独特的物理与化学性质在多种工业和技术领域有广泛应用前景，如可用于催化剂，耐酸高温电极，太阳能电池等。本发明能够实现硫化钯、二硫化钯或硫化钯与二硫化钯的混合相纳米薄膜的工业化生产。

本发明授权一种大面积硫化钯或/和二硫化钯纳米薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大面积硫化钯或和二硫化钯纳米薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1）将不同厚度的钯金属纳米薄膜通过电子束蒸发镀膜仪蒸镀至基底； 2）将装有硫粉的氧化铝舟放至第一温区加热中心，蒸镀有钯的二氧化硅基底置于双温区管式炉的第二温区加热中心； 3）向管式炉内的反应腔内通入氩气进行清洗； 4）升高管式炉温度，使第一温区温度升温至200℃-300℃，第二温区温度升温至400℃-600℃，进行硫化； 5）生长结束后，温度自然冷却至室温，关闭氩气，获得硫化钯或和二硫化钯纳米薄膜； 其中，当基底蒸镀厚度为1纳米的钯金属薄膜时，硫化产物为纯的二硫化钯；基底蒸镀厚度为2纳米的钯金属薄膜时，硫化产物为二硫化钯与硫化钯的混合相薄膜，二硫化钯与硫化钯的面积占比为40%~60%：60%~50%；基底蒸镀厚度为4纳米的钯金属薄膜时，硫化产物为二硫化钯与硫化钯的混合相薄膜，二硫化钯与硫化钯的面积占比为1%~3%：99%~97%；基底蒸镀厚度为10纳米的钯金属薄膜时，硫化产物为纯的硫化钯薄膜。

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