上海唐锋能源科技有限公司朱凤鹃获国家专利权
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龙图腾网获悉上海唐锋能源科技有限公司申请的专利一种膜电极结构封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472879B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211011860.6，技术领域涉及：H01M8/1004；该发明授权一种膜电极结构封装方法是由朱凤鹃;王昭晖;陈伟;陶亮亮;王一鑫设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种膜电极结构封装方法在说明书摘要公布了：本发明属于燃烧电极领域，具体涉及一种膜电极结构封装方法，所述膜电极封装结构中的CCM位于带凹陷的单层大边框内，且通过单层大边框和带胶层小边框的上下夹持，固定在单层大边框内，将CCM完全固定，所述单层大边框上层设置阳极气体扩散层，下层设置阴极气体扩散层。本发明解决了现有封装技术的缺陷，在生产过程中减少了部分定位工装的使用，有效的降低了工艺难度与繁琐度，同时利用较厚大边框大大降低了边框气泡和褶皱的产生。
本发明授权一种膜电极结构封装方法在权利要求书中公布了：1.一种膜电极结构封装方法，其特征在于：包括： 步骤1，利用质子交换膜、阳极催化剂层和阴极催化层制备CCM；使用模具直接压制出带凹陷的单层大边框；使用模具直接裁剪出一片带胶层小边框；裁剪出阴极气体扩散层和阳极气体扩散层； 步骤2，将CCM放置在单层大边框内，并在CCM上放置带胶层小边框，热压在一起，形成大边框，所述热压时间为0.1-0.3min，压力为0.5-0.8MPa，温度为120-130℃； 步骤3，将大边框上下表面放置阴极气体扩散层和阳极气体扩散层，且所述阳极气体扩散层位于带胶层小边框上面，得到膜电极封装结构； 所述CCM与阳极气体扩散层和阴极气体扩散层间均存在缝隙层，阳极气体扩散层与CCM间形成稳定的阳极缝隙层，所述阴极气体扩散层与CCM间形成稳定的阴极缝隙层，缝隙层的厚度为小边框的厚度； 所述小边框上表面与单层大边框上表面齐平。
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