中国科学院长春光学精密机械与物理研究所梁磊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种基于β辐射伏特效应的同位素电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210800637.3，技术领域涉及：G21H1/06；该发明授权一种基于β辐射伏特效应的同位素电池是由梁磊;贾鹏;秦莉;雷宇鑫;宋悦;王玉冰;邱橙;王立军设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于β辐射伏特效应的同位素电池在说明书摘要公布了：本发明提供的一种基于β辐射伏特效应的同位素电池，根据换能单元个数不同可以分为单层同位素电池、双层同位素电池、三层同位素电池，甚至一直扩展到N层同位素电池包含N个换能单元和N‑1个同位素源，N≥4，通过巧妙的设计实现多层同位素电池叠层封装结构。该多层同位素电池包括绝缘壳体、绝缘限位卡具和电池模组，电池模组置于绝缘壳体内，限位卡具置于绝缘壳体内部两侧。目的是针对目前β辐射伏特效应同位素电池能量转换效率偏低、输出电流小、输出功率低且多采用低能同位素源的现状，针对不同材料换能单元，提出一种通用的基于辐射伏特效应的多层同位素电池及其封装结构，能有效提升同位素电池输出性能。
本发明授权一种基于β辐射伏特效应的同位素电池在权利要求书中公布了：1.一种基于β辐射伏特效应的同位素电池，其特征在于，包括绝缘壳体、绝缘限位卡具以及电池模组，所述电池模组位于所述绝缘壳体内，所述绝缘限位卡具夹持所述电池模组并固定在所述绝缘壳体内，其中所述电池模组具有至少一层具有β辐射伏特效应的同位素电池； 所述绝缘壳体为具有一开口的矩形容器，沿所述开口相对的在所述绝缘壳体的两个内壁上设置用于放置所述绝缘限位卡具的限位槽，所述绝缘限位卡具与所述限位槽扣合后固定所述电池模组； 所述绝缘限位卡具包括第一限位卡具和第二限位卡具，所述第一限位卡具和所述第二限位卡具具有用于限位所述电池模组的安装缺口，所述安装缺口与所述电池模组相抵靠； 所述电池模组的第一过渡电极和第二过渡电极之间具有绝缘隔离沟道。
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