拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司祁文杰获国家专利权
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龙图腾网获悉拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司申请的专利一种硅片扩散方法以及电池片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036209B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210625701.9，技术领域涉及：H01L21/223；该发明授权一种硅片扩散方法以及电池片制备方法是由祁文杰;梁笑;毛文龙;范伟;卢佳设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅片扩散方法以及电池片制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅片扩散方法以及电池片制备方法,本发明通过在石英舟上单片区域和下单片区域装载单片硅片，双片区域装载双片硅片，在扩散时，双片硅片采用单面扩散，单片硅片双面扩散。上单片区域以及下单片区域中装载硅片朝向双片区域的一面为扩散面，非朝向双片区域的一面为非扩散面。其中，硅片非朝向双片区域的一面通过扩散后的刻蚀工序进行完全去除绕扩绕扩，从而形成非扩散面，消除该面因靠近热场而导致的低方阻影响。
本发明授权一种硅片扩散方法以及电池片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅片扩散方法,其特征在于：包括以下步骤： S01：装舟，将硅片分区插入石英舟，所述石英舟包括上单片区域、下单片区域以及双片区域，双片区域位于上单片区域和下单片区域之间，上单片区域以及下单片区域装载单片硅片，双片区域装载双片硅片； 硅片插入石英舟的方向与气流水平扩散方向平行或近似平行； 上单片区域以及下单片区域中装载的硅片朝向双片区域的一面为扩散面，非朝向双片区域的一面为非扩散面； S02：磷扩散，对硅片进行磷扩散形成PN结。
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