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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种片上半导体变压器模型、建模方法、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115081372B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210616484.7，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种片上半导体变压器模型、建模方法、装置及存储介质是由车文荃;周品皓;沈光煦设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种片上半导体变压器模型、建模方法、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种片上半导体变压器模型、建模方法、装置及存储介质，其中模型包括四部分：第一部分为表征变压器初次级线圈电感及电阻特性的串联支路；第二部分为表征变压器初次级线圈之间以及初次级线圈内部磁场耦合效应的互感；第三部分为表征变压器初次级线圈之间电容耦合效应的寄生电容；第四部分为表征变压器衬底损耗效应的衬底损耗网络。本发明通过梯形衬底损耗网络来替代传统的CRC衬底损耗网络，并在此基础上建立了片上变压器模型，所采用的梯形衬底损耗网络能更好地拟合砷化镓衬底的损耗特性，以使片上半导体变压器模型满足多种工艺。本发明可广泛应用于毫米波集成电路中无源器件建模的领域。

本发明授权一种片上半导体变压器模型、建模方法、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种片上半导体变压器模型，其特征在于，所述片上半导体变压器模型为六端口变压器模型，包括四个部分； 第一部分为表征变压器初次级线圈的电感及电阻特性的串联支路；每个线圈包含两个关于公共端子对称的串联支路，所述公共端子为线圈的中心抽头；每个所述串联支路由一个串联电感L0x，一个串联电阻R0x，以及三个串联的R-L并联网络组成； 第二部分为表征变压器初次级线圈之间以及初次级线圈内部磁场耦合效应的互感；所述六端口变压器模型包含各个串联支路之间的磁场耦合； 第三部分为表征变压器初次级线圈之间电容耦合效应的寄生电容；所述六端口变压器模型初次级线圈的每个端口之间都引入了寄生电容； 第四部分为表征变压器衬底损耗效应的衬底损耗网络；变压器模型的每个端口处并联一个梯形衬底损耗网络，每个梯形衬底损耗网络由一个并联电容Csubi0，一个并联电导Gsubi0，以及四个并联的G-C串联结构组成，G-C串联结构包括Gsubij和Csubij，其中i＝1,2,3,4,5,6， j＝1,2,3,4； 通过以下方式提取梯形衬底损耗网络的参数： 通过EM仿真并参数转换后，得到六端口Y参数矩阵满足： yi＝Y1i+Y2i+Y3i+Y4i+Y5i+Y6i1根据公式1计算获得端口i处的衬底损耗特性； 考虑到所采用的梯形衬底损耗网络一共有四个并联的G-C串联结构，需要选择四个频率点进行拟合，这四个拟合频点用角频率从小到大依次表示为ω1、ω2、ω3、ω4； 考虑到梯形衬底损耗网络的电导和电容可分别写为： 根据公式23以及所选取的拟合频点获得如下方程组： 根据公式4-13求解获得梯形衬底损耗网络的所有参数。

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