广东省科学院半导体研究所李育智获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823917B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210569810.3，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法和显示面板是由李育智;龚政;陈志涛;郭婵;王建太;邹胜晗;潘章旭设计研发完成，并于2022-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法和显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法和显示面板，涉及半导体技术领域。本申请通过在基底的一侧依次制备氮硅层、栅极、覆盖栅极的栅介质层以及至少覆盖栅介质层的金属氧化物层，使金属氧化物层中与氮硅层接触的部分区域经氮硅层所含有的氢或氟扩散掺杂进行导体化，形成源极区域和漏极区域，该金属氧化物层中与栅介质层接触且未导体化的部分区域即为连通源极区域和漏极区域的半导体区域，栅极、源极区域和漏极区域处于同一氮硅层表面上。因此，该薄膜晶体管器件能够通过极为简单的自对准底栅结构实现较低的寄生电容和较高的工作频率上限，并具有制备工艺简单的特点，可低成本制备高图像显示质量的显示面板。
本发明授权金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物薄膜晶体管器件，其特征在于，所述薄膜晶体管器件包括： 基底； 设置在所述基底上的氮硅层； 设置在所述氮硅层的远离所述基底的一侧的栅极； 覆盖在所述栅极的未与所述氮硅层接触的外表面上的栅介质层； 至少覆盖所述栅介质层的未与所述氮硅层接触的外表面的金属氧化物层；所述金属氧化物层包括源极区域、半导体区域及漏极区域，所述源极区域与所述漏极区域分别位于所述半导体区域的两侧并与所述半导体区域相互连通，其中所述源极区域与所述漏极区域均由所述金属氧化物层接触到的所述氮硅层所含有的氢或氟扩散掺杂形成；其中，所述栅极、所述源极区域和所述漏极区域处于所述氮硅层的同一外侧表面上，由所述栅介质层分隔开所述栅极、所述源极区域和所述漏极区域，所述栅极处于所述半导体区域的投影覆盖范围内；所述氮硅层用于隔绝水氧，并对与自身接触的半导体材料进行导体化。
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