武汉华星光电技术有限公司罗成志获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864605B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210547754.3，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板是由罗成志设计研发完成，并于2022-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，所述阵列基板包括依次层叠设置的衬底基板、第一缓冲层、第一滤光层、第二缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、第二滤光层、源漏电极以及平坦层。通过将所述第一滤光层与所述第二滤光层集成至所述阵列基板，外界的光能够射入所述阵列基板，首先通过所述第一滤光层将光反射至所述第二滤光层，然后通过所述第二滤光层将光反射至所述有源层，所述有源层能够充当感光单元，以满足对外界光中紫外线强度进行检测的需求。通过直接将紫外检测结构制备在阵列基板上，解决了目前紫外光探测需要附带滤光片才能使用的问题，制备工艺上更为简单，节约了生产成本。
本发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底基板； 第一缓冲层，设置于所述衬底基板的一侧，具有一凹槽； 第一滤光层，设置于所述第一缓冲层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述凹槽，所述第一滤光层包括至少一第一金属层与至少一第一金属氧化层，所述第一金属层靠近所述第一缓冲层设置； 有源层，设置于所述第一滤光层的远离所述第一缓冲层的一侧，且对应所述第一滤光层设置；以及 第二滤光层，设置在所述有源层的远离所述第一滤光层的一侧，且对应所述有源层设置，所述第二滤光层包括至少一第二金属层与至少一第二金属氧化层，所述第二金属氧化层靠近所述有源层设置； 其中，所述有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一滤光层在所述衬底基板上的正投影内，所述第一金属层与所述第二金属层的材料包括钛，所述第一金属氧化层与所述第二金属氧化层的材料包括氧化钛。
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