买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安交通大学;国网江苏省电力有限公司常州供电分公司申请的专利一种ΣΔ调制器开关电容积分器中使用动态补偿的运放结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115001502B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210391772.7，技术领域涉及：H03M3/00；该发明授权一种ΣΔ调制器开关电容积分器中使用动态补偿的运放结构是由蔡滨宇;王晓飞;陈阳;董磊;张伟设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种ΣΔ调制器开关电容积分器中使用动态补偿的运放结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种ΣΔ调制器开关电容积分器中使用动态补偿的运放结构，包括参考电压输入端、反馈DAC电容、采样电容、信号输入端、积分电容、全差分折叠共源共栅两级运放器、第一控制开关、第二控制开关、第三控制开关、第四控制开关、第五控制开关、第六控制开关及第七控制开关，该结构的功耗较低。

本发明授权一种ΣΔ调制器开关电容积分器中使用动态补偿的运放结构在权利要求书中公布了：1.一种ΣΔ调制器开关电容积分器中使用动态补偿的运放结构，其特征在于，包括参考电压输入端Vref、反馈DAC电容Cref、采样电容Cs、信号输入端Vin、积分电容Ci、全差分折叠共源共栅两级运放器、第一控制开关K1、第二控制开关K2、第三控制开关K3、第四控制开关K4、第五控制开关K5、第六控制开关K6及第七控制开关K7； 参考电压输入端Vref经第一控制开关K1与第二控制开关K2的一端及反馈DAC电容Cref的一端相连接，反馈DAC电容Cref的另一端与第三控制开关K3的一端、第四控制开关K4的一端、第五控制开关K5的一端及采样电容Cs的一端相连接，采样电容Cs的另一端与第六控制开关K6的一端及第七控制开关K7的一端相连接，第七控制开关K7的另一端与信号输入端Vin相连接；第四控制开关K4的另一端与积分电容Ci的一端及全差分折叠共源共栅两级运放器的反相输入端相连接，积分电容Ci的另一端与全差分折叠共源共栅两级运放器的输出端及输出电容CL的一端相连接； 第二控制开关K2的另一端、第三控制开关K3的另一端、第五控制开关K5的另一端、第六控制开关K6的另一端、全差分折叠共源共栅两级运放器的同相输入端及输出电容CL的另一端均接地； 所述全差分折叠共源共栅两级运放器包括第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M2、第三NMOS晶体管M3、第四NMOS晶体管M4、第五NMOS晶体管M5、第六NMOS晶体管M6、第七NMOS晶体管M7、第八PMOS晶体管M8、第九PMOS晶体管M9、第十PMOS晶体管M10、第十一PMOS晶体管M11、第十二PMOS晶体管M12、第十三PMOS晶体管M13、第十四NMOS晶体管M14、第十五PMOS晶体管M15、第十六NMOS晶体管M16、第十七PMOS晶体管M17、第八PMOS晶体管M8、第一电容器CC1、第二电容器CC2、第三电容器CC3、第四电容器CC4、第一电阻器R1、第二电阻器R2、第十八NMOS晶体管M18、第十九NMOS晶体管M19、第二十NMOS晶体管M20、第二十一PMOS晶体管M21、第二十二PMOS晶体管M22、第五电容器C5、第六电容器C6、第三电阻器R3、第四电阻器R4、负端输入端Vin-、正端输入端Vin+、第一偏置电压节点VB1、第二偏置电压节点VB2、第三偏置电压节点VB3、第四偏置电压节点VB4、电源、共模反馈电压节点VCMFB、正端输出端Vout+、负端输出端Vout-及参考电压端VREF； 第一NMOS晶体管M1的栅极与正端输入端Vin+相连，第一NMOS晶体管M1的源极与第六NMOS晶体管M6的漏极相连，第一NMOS晶体管M1的漏极与第八PMOS晶体管M8的源极相连； 第二NMOS晶体管M2的栅极与负端输入端Vin-相连，第二NMOS晶体管M2的源极与第六NMOS晶体管M6的漏极相连，第二NMOS晶体管M2的漏极与第九PMOS晶体管M9的源极相连； 第三NMOS晶体管M3的栅极及第四NMOS晶体管M4的栅极与第三偏置电压节点VB3相连；第三NMOS晶体管M3的漏极与第八PMOS晶体管M8的漏极相连，第三NMOS晶体管M3的源极与第五NMOS晶体管M5的漏极相连； 第四NMOS晶体管M4的漏极与第九PMOS晶体管M9的漏极相连，第四NMOS晶体管M4的源极与第七NMOS晶体管M7的漏极相连；第五NMOS晶体管M5的栅极、第六NMOS晶体管M6的栅极、第七NMOS晶体管M7的栅极及第十八NMOS晶体管M18的栅极与第四偏置电压节点VB4相连接；第五NMOS晶体管M5的源极、第六NMOS晶体管M6的源极、第七NMOS晶体管M7的源极及第十八NMOS晶体管M18的源极接地； 第八PMOS晶体管M8的栅极及第九PMOS晶体管M9的栅极与第二偏置电压节点VB2相连接； 第十PMOS晶体管M10的栅极及第十一PMOS晶体管M11的栅极与第一偏置电压节点VB1相连接；第十PMOS晶体管M10的源极、第十一PMOS晶体管M11的源极、第十二PMOS晶体管M12的源极、第十三PMOS晶体管M13的源极、第十五PMOS晶体管M15的源极和第十七PMOS晶体管M17的源极与电源； 第十二PMOS晶体管M12的栅极、第十三PMOS晶体管M13的栅极、第二十一PMOS晶体管M21的栅极及第二十二PMOS晶体管M22的栅极与共模反馈电压节点VCMFB相连接； 第十PMOS晶体管M10的漏极及第十二PMOS晶体管M12的漏极与第八PMOS晶体管M8的源极相连接； 第十一PMOS晶体管M11的漏极及第十三PMOS晶体管M13的漏极与第九PMOS晶体管M9的源极相连接； 第十四NMOS晶体管M14的栅极与第三NMOS晶体管M3的漏极相连，第十四NMOS晶体管M14的源极接地，第十四NMOS晶体管M14的漏极及第十五PMOS晶体管M15的漏极与正端输出端Vout+相连； 第十六NMOS晶体管M16的栅极与第四NMOS晶体管M4的漏极相连，第十六NMOS晶体管M16的源极接地，第十六NMOS晶体管M16的漏极及第十七PMOS晶体管M17的漏极与负端输出端Vout-相连； 第一电容器CC1的正端与正端输出端Vout+相连，第一电容器CC1的负端与第一开关S1的一端相连； 第二电容器CC2的正端与正端输出端Vout+相连，第一开关S1的另一端及第二电容器CC2的负端与第一电阻器R1的一端相连； 第一电阻器R1的另一端与第十四NMOS晶体管M14的栅极相连； 第三电容器CC3的正端与负端输出端Vout-相连，第三电容器CC3的负端与第二开关S2相连； 第四电容器CC4的正端与负端输出端Vout-相连，第四电容器CC4的负端与第二电阻器R2的一端相连； 第二电阻器R2的另一端与第十六NMOS晶体管M16的栅极相连； 第十八NMOS晶体管M18的漏极与第十九NMOS晶体管M19及第二十NMOS晶体管M20的源极相连； 第十九NMOS晶体管M19的栅极与参考电压端VREF相连接，第十九NMOS晶体管M19的漏极与第二十一PMOS晶体管M21的漏极相连； 第二十NMOS晶体管M20的栅极与第五电容器C5的正端及第六电容器C6的正端相连接，第二十NMOS晶体管M20的漏极与第二十二PMOS晶体管M22的漏极相连； 第二十一PMOS晶体管M21的漏极与第二十一PMOS晶体管M21的栅极相连； 第二十二PMOS晶体管M22的漏极与第二十二PMOS晶体管M22的栅极相连； 第五电容器C5的负端与正端输出端Vout+相连； 第六电容器C6的负端与负端输出端Vout-相连； 第三电阻器R3的一端与正端输出端Vout+相连，第三电阻器R3的另一端与第五电容器C5的正端相连； 第四电阻器R4的一端与负端输出端Vout-相连，第四电阻器R4的另一端与第五电容器C5的正端相连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学;国网江苏省电力有限公司常州供电分公司，其通讯地址为：710049 陕西省西安市咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。