江西兆驰半导体有限公司胡加辉获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种蓝光LED外延片、外延生长方法及蓝光LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709306B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210240547.3，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种蓝光LED外延片、外延生长方法及蓝光LED芯片是由胡加辉;刘春杨;吕蒙普;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种蓝光LED外延片、外延生长方法及蓝光LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种蓝光LED外延片、外延生长方法及蓝光LED芯片，该蓝光LED外延片包括复合衬底、预处理层和缓冲层，所述预处理层和所述缓冲层沉积于所述复合衬底上，所述缓冲层由第一缓冲层和第二缓冲层依次生长的结构，所述复合衬底为SiO2图形衬底，所述预处理层和所述第一缓冲层皆为AlN层，所述第二缓冲层为GaN层，其中，所述预处理层的致密性优于所述第一缓冲层的致密性，由于引入了高致密性的预处理层，可以有效减少复合衬底中的SiO2扩散，同时，在预处理层上沉积的第一缓冲层用于应力释放，从而可以得到更好的GaN外延层，降低缺陷密度，改善了外延层的晶体质量。
本发明授权一种蓝光LED外延片、外延生长方法及蓝光LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种蓝光LED外延片，其特征在于，包括层叠设置的复合衬底、预处理层和缓冲层，所述缓冲层为第一缓冲层和第二缓冲层依次生长的结构，所述复合衬底为SiO2图形衬底，所述预处理层和所述第一缓冲层皆为AlN层，所述第二缓冲层为GaN层，所述预处理层的致密性优于所述第一缓冲层的致密性； 所述蓝光LED外延片还包括三维生长的GaN层、不掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层以及p型掺杂的GaN层； 所述预处理层、所述缓冲层、所述三维生长的GaN层、所述不掺杂的GaN层、所述n型掺杂的GaN层、所述应力释放层、所述多量子阱层、所述电子阻挡层以及所述p型掺杂的GaN层依次外延生长在所述复合衬底上。
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