江西兆驰半导体有限公司曾家明获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种micro-LED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210189085.7，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种micro-LED及其制备方法是由曾家明;郑文杰;程龙;胡加辉;刘春杨设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种micro-LED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种micro‑LED及其制备方法，应用于红光micro‑LED，涉及二极管技术领域领域，该micro‑LED包括衬底；在所述衬底上依次设有红光外延准备层、N型InbGa1‑bNGaN层、发光层、电子阻挡层、P型InfGa1‑fN层及接触层；在所述发光层与电子阻挡层之间设有一波导层，所述波导层为IneGa1‑eN薄膜层，其中，In的组分e为0.01‑0.1。本发明能够解决现有技术中外延层中杂质扩散至发光层中，导致发光效率低下的技术问题。
本发明授权一种micro-LED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种micro-LED，应用于红光micro-LED，其特征在于，所述micro-LED包括： 衬底； 在所述衬底上依次设有红光外延准备层、N型InbGa1-bNGaN层、发光层、电子阻挡层、P型InfGa1-fN层及接触层； 在所述发光层与电子阻挡层之间设有一波导层，所述波导层为IneGa1-eN薄膜层，其中，In的组分e为0.01-0.1，厚度为5-10nm， 所述发光层为多量子阱层结构，包括若干个周期IncGa1-cN阱层与IndGa1-dN垒层，其中，IncGa1-cN阱层的厚度为1-5nm，In的组分c为0.3-0.5，IndGa1-dN垒层的厚度为5-15nm，In的组分d为0.01-0.1。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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