西安电子科技大学马晓华获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864655B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210190209.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管及其制备方法是由马晓华;杨凌;贾富春;武玫;侯斌;张濛;朱青;郝跃设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管及其制备方法，该氧化稼PIN二极管包括：n+‑Ga2O3衬底层；n‑‑Ga2O3漂移层，设置在n+‑Ga2O3衬底层的上表面，n‑‑Ga2O3漂移层的两侧面为倾斜台面，倾斜台面上设置有若干矩形凹槽；P型金刚石层，覆盖在n‑‑Ga2O3漂移层的上表面、部分倾斜台面以及填充在矩形凹槽的内部；阴极，设置在n+‑Ga2O3层的下表面；阳极，设置在P型金刚石层的上表面。本发明的基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管，采用斜终端结构，并在倾斜台面上引入矩形凹槽，增大了P型金刚石和n‑‑Ga2O3漂移层的接触面积，pn结对电场的调制作用更加明显，器件边缘电场分布更加均匀，降低了泄漏电流；采用P型金刚石作为P型区域，规避了P型Ga2O3制备困难的问题。
本发明授权基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管，其特征在于，包括： n+-Ga2O3衬底层； n--Ga2O3漂移层，设置在所述n+-Ga2O3衬底层的上表面，所述n--Ga2O3漂移层的两侧面为倾斜台面，所述倾斜台面上设置有若干矩形凹槽； P型金刚石层，覆盖在所述n--Ga2O3漂移层的上表面、部分倾斜台面以及填充在所述矩形凹槽的内部；其中，P型金刚石层102的下端不与n+-Ga2O3衬底层100连接； 阴极，设置在所述n+-Ga2O3层的下表面； 阳极，设置在所述P型金刚石层的上表面。
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