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龙图腾网获悉华润微集成电路(无锡)有限公司申请的专利实现MCU低功耗电源管理的电路结构及其切换方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116300546B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111569033.4，技术领域涉及：G05B19/042；该发明授权实现MCU低功耗电源管理的电路结构及其切换方法是由张怀志;冯雪阳;曹旺设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本实现MCU低功耗电源管理的电路结构及其切换方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种实现MCU低功耗电源管理的电路结构，其中，所述的电路结构包括：第一低压差线性稳压单元LDOA，用于在接收到外部数字逻辑单元logic发送的高电平信号后开启电路进行工作，并输出大电流使得所述的电路结构进入高性能模式；以及第二低压差线性稳压单元LDOB，用于在接收到外部数字逻辑单元logic发送的低电平信号后开启电路进行工作，输出低电流使得所述的电路结构进入超低功耗模式。本发明还涉及一种相应的切换方法。采用了本发明的该实现MCU低功耗电源管理的电路结构及其切换方法，结构简单，所需的电路器件少，节省了芯片面积，并且切换过程简单易实现，能够有效提高芯片良品率。

本发明授权实现MCU低功耗电源管理的电路结构及其切换方法在权利要求书中公布了：1.一种实现MCU低功耗电源管理的电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括： 第一低压差线性稳压单元LDOA，用于在接收到外部数字逻辑单元logic发送的高电平信号后开启电路进行工作，并输出大电流使得所述的电路结构进入高性能模式；以及 第二低压差线性稳压单元LDOB，用于在接收到外部数字逻辑单元logic发送的低电平信号后开启电路进行工作，输出低电流使得所述的电路结构进入超低功耗模式； 且所述的第一低压差线性稳压单元LDOA的输出端与第二低压差线性稳压单元LDOB的输出端均与后端的数字电路相连接，用于对所述的数字电路的小负载以及或者大负载的工作状态进行控制处理； 还包括中央处理器CPU，所述中央处理器CPU包括所述的外部数字逻辑单元logic，其中， 所述的外部数字逻辑单元logic的第一使能输入端用于输入低功耗模式信号STANDBY_ENH； 所述的外部数字逻辑单元logic的第二使能输入端用于输入线性稳压信号LDO15_PDN； 所述的外部数字逻辑单元logic的第一使能输出端用于通过所述的中央处理器CPU向所述的第二低压差线性稳压单元LDOB输入第一逻辑控制信号PDN； 所述的外部数字逻辑单元logic的第二使能输出端用于通过所述的中央处理器CPU向所述的第一低压差线性稳压单元LDOA输入第二逻辑控制信号STANDBY； 所述的第一低压差线性稳压单元LDOA包括： 运算放大器AMP，所述的运算放大器AMP的第一端用于接收带隙基准电路BGR输出的第一基准电压VBG； 第三PMOS场效应管mp3，所述的第三PMOS场效应管mp3的栅极与所述的运算放大器AMP的输出端相连接，所述的第三PMOS场效应管mp3的漏极用于接入电源电压VDDD50； 第一可调电阻R1以及第二电阻R2； 所述的第二电阻R2设置在所述的运算放大器AMP的第二端以及所述的第三PMOS场效应管mp3的源极之间；所述的第一可调电阻R1设置在所述的第二电阻R2与地之间； 所述的第二低压差线性稳压单元LDOB包括： 第一PMOS场效应管mp1，所述的第一PMOS场效应管mp1的栅极用于接入所述的第一逻辑控制信号PDN，所述的第一PMOS场效应管mp1的漏极用于输出偏置电流IBIAS0； 第二PMOS场效应管mp2，所述的第二PMOS场效应管mp2的栅极接地，所述的第二PMOS场效应管mp2的漏极用于接入电源电压VDDD50； 第二NMOS场效应管mn2，所述的第二NMOS场效应管mn2的栅极与漏极均与所述的第一PMOS场效应管mp1的源极相连接； 第一NMOS场效应管mn1，所述的第一NMOS场效应管mn1的栅极与漏极均与所述的第二NMOS场效应管mn2的源极相连接；以及 第三NMOS场效应管Native_mn3，所述的第三NMOS场效应管Native_mn3的漏极与所述的第二PMOS场效应管mp2的源极相连接，所述的第三NMOS场效应管Native_mn3的栅极与所述的第二NMOS场效应管mn2的栅极与漏极相连接，且所述的第三NMOS场效应管Native_mn3的源极设置在所述的第三PMOS场效应管mp3与第二电阻R2之间。

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