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龙图腾网获悉深圳市汇顶科技股份有限公司申请的专利集成MEMS-CMOS超声波传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114455538B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111210016.1，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权集成MEMS-CMOS超声波传感器是由穆斯塔法·索利曼设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成MEMS-CMOS超声波传感器在说明书摘要公布了：描述了具有集成MEMS‑CMOS实施方式的超声波感测方法。实施例包括超声波传感器阵列，这些超声波传感器阵列中的各个检测器元件的PMUT结构至少部分地集成到CMOSASIC晶圆中。MEMS加热元件通过在该CMOS晶圆中的这些PMUT结构之下和或在这些PMUT结构之上例如，在保护层中集成来与这些PMUT结构集成。例如，实施例可以避免晶圆键合，并且可以减少PMUT超声波传感器的常规制作所涉及的其他后加工，同时还改善了热响应。

本发明授权集成MEMS-CMOS超声波传感器在权利要求书中公布了：1.一种制作集成微机电系统和互补金属氧化物半导体MEMS-CMOS超声波传感器元件的方法，所述方法包括： 在CMOS晶圆的加工期间至少部分地在所述CMOS晶圆的一组集成金属层中沉积第一金属和第二金属； 图案化所述第一金属以形成第一电极路径，所述第一电极路径具有被配置成与电极控制电路系统耦合的第一控制端并且终止于设置在牺牲材料层的顶部上的第一电极； 图案化所述第二金属以形成第二电极路径，所述第二电极路径具有被配置成与所述电极控制电路系统耦合的第二控制端并且终止于第二电极； 穿过所述第一电极蚀刻所述牺牲材料层，以在所述第一电极下方形成声学空腔；以及 在至少所述第一电极的顶部上沉积压电薄膜层，并且图案化所述压电薄膜以形成压电元件，使得所述第一电极和所述第二电极均接触所述压电元件； 蚀刻所述牺牲材料层包括：在所述第一金属形成的所述第一电极的部分中图案化释放孔；经由所述释放孔蚀刻所述牺牲材料层以形成所述声学空腔； 所述方法进一步包括：在所述蚀刻之后在所述第一电极的顶部上沉积所述第一金属的共形层或沉积所述压电薄膜的共形层以密封所述释放孔，由此形成所述声学空腔作为低压空腔； 沉积第三金属并图案化所述第三金属以形成MEMS加热元件，使得所述MEMS加热元件的至少一部分定位于所述压电元件上方和或下方，进一步图案化所述MEMS加热元件以与加热控制电路耦合。

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