鸿海精密工业股份有限公司蒋光浩获国家专利权
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龙图腾网获悉鸿海精密工业股份有限公司申请的专利半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921388B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111170622.5，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体结构的制作方法是由蒋光浩设计研发完成，并于2021-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的制作方法包括以下操作。形成堆叠结构于基板上，堆叠结构包括交替堆叠的复数个半导体层和复数个牺牲层，其中这些牺牲层含有锗，这些牺牲层的锗浓度由下往上递减。形成虚拟闸极结构于堆叠结构上。形成间隙壁于虚拟闸极结构的两侧。移除虚拟闸极结构，从而形成开口。从开口移除这些牺牲层。形成闸极结构，覆盖这些半导体层。在另一制作方法中，堆叠结构包括交替堆叠的复数个半导体层和复数个牺牲层，其中这些半导体层的厚度由下往上递增，或是这些牺牲层的厚度由下往上递增。上述堆叠结构的设计能够避免移除牺牲层后可能发生的半导体层形状不均问题，而使剩下的半导体层形状一致，具有类似的厚度及宽度。
本发明授权半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 形成堆叠结构于基板上，该堆叠结构包括交替堆叠的复数个半导体层和复数个牺牲层，其中该些半导体层的厚度由下往上等差递增，形成该堆叠结构于该基板上包括： 依序形成第一牺牲层、第一半导体层、第二牺牲层及第二半导体层于该基板上的操作；以及 重复依序形成该第一牺牲层、该第一半导体层、该第二牺牲层及该第二半导体层于该基板上的该操作； 形成虚拟闸极结构于该堆叠结构上； 形成间隙壁于该虚拟闸极结构的两侧； 移除该虚拟闸极结构，从而形成开口； 从该开口移除该些牺牲层；以及 形成闸极结构，覆盖该些半导体层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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