中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司陈建获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881727B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111144545.6，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈建设计研发完成，并于2021-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一面和第二面；在所述第一面形成第一外延层；在所述第一外延层顶面形成相互分立的若干鳍部结构；在所述第一外延层和鳍部结构表面形成第一器件层；提供第二衬底，所述第二衬底内具有电路；在形成第一器件层后，键合第一衬底和第二衬底，第一面朝向第二衬底，并且，所述电路与所述第一器件层电互连；在键合第一衬底和第二衬底后，去除所述第一衬底；去除第一衬底后，形成若干第一导电插塞，所述第一导电插塞与所述第一器件层电互连，且第一外延层的底面暴露出若干所述第一导电插塞表面。从而，提高了半导体结构的集成度，同时，还能够提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一外延层，所述第一外延层具有相对的顶面和底面； 位于第一外延层顶面且相互分立的若干鳍部结构； 位于第一外延层和若干鳍部结构表面的第一器件层，所述第一器件层包括若干器件结构、若干互连结构和隔离介质结构，所述隔离介质结构包围所述鳍部结构、互连结构和器件结构； 与第一器件层键合的第二衬底，所述第二衬底内具有电路，所述电路与所述第一器件层电互连； 位于第一外延层和第一器件层内的若干第一导电插塞，所述第一导电插塞与所述第一器件层电互连，且第一外延层的底面暴露出若干所述第一导电插塞表面；所述第一导电插塞穿过所述第一外延层和第一器件层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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