中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所司志伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利助熔剂法生长氮化镓单晶的方法、系统及检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115726023B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111021130.X，技术领域涉及：C30B9/12；该发明授权助熔剂法生长氮化镓单晶的方法、系统及检测方法是由司志伟;刘宗亮;徐科设计研发完成，并于2021-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本助熔剂法生长氮化镓单晶的方法、系统及检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种助熔剂法生长氮化镓单晶的方法、系统及检测方法。所述方法包括：在以助熔剂法液相外延生长氮化镓单晶时，向其中的熔融态生长原料施加电压，以至少驱使所述熔融态生长原料流动和或降低所述熔融态生长原料的表面能。本发明实施例提供的一种基于电压诱导的助熔剂法生长均匀的氮化镓单晶的方法，采用电压驱使生长体系内的熔融态生长原料流动，使得原料能够更充分地均匀混和，进而可以生长获得质量更加均一的氮化镓体单晶。
本发明授权助熔剂法生长氮化镓单晶的方法、系统及检测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电压诱导的助熔剂法生长氮化镓单晶的方法，其特征在于包括：在以助熔剂法液相外延生长氮化镓单晶时，向其中的熔融态生长原料施加电压，以至少驱使所述熔融态生长原料流动和或降低所述熔融态生长原料的表面能，以及，至少通过调控向所述熔融态生长原料所施加电压的大小、方向、频率中的一种或多种，以调整所述熔融态生长原料的流动速度、流动方向、流动频率中的一种或多种，使生长体系处于生长氮化镓单晶的平衡状态。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号